HEDP和ATMP及其取代物緩蝕阻垢性能的QC-MD研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、運(yùn)用量子化學(xué)密度泛函(DFT)理論，在B3LYP/6-31G﹡水平上，優(yōu)化了ATMP及其取代物和氨基膦酸類分子的分子結(jié)構(gòu)，通過計(jì)算得出了原子電荷分布、分子最高被占軌道能量(HOMO)、最低空軌道能量(LUMO)、能隙差(ΔE)及Fukui指數(shù)等量子化學(xué)參數(shù)，并且研究了這些量化參數(shù)和緩蝕阻垢性能之間的構(gòu)效關(guān)系。其中ATMP及其取代物中膦酸基團(tuán)和羧基上的氧原子的電荷和供電子能力與阻垢緩蝕性能相關(guān)性較好。氨基膦酸類化合物苯環(huán)的得電子能力與緩蝕

2、性能相關(guān)性很好。 運(yùn)用分子動(dòng)力學(xué)模擬軟件Material Studio中的Discover模塊，在NVT系綜和COMPASS力場下，分別模擬了HEDP和ATMP及其取代物在方解石(104)、(113)、(202)和(102)晶面以及鐵(100)晶面上的相互作用情況，獲得了各體系的結(jié)合能、非鍵作用能、形變能及徑向分布函數(shù)等，探討其阻垢緩蝕作用機(jī)理。通過結(jié)合能得到化合物阻垢緩蝕性能的比較，并通過徑向分布函數(shù)發(fā)現(xiàn)阻垢劑中的氧原子與方解

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