納米硫化鋅復合半導體的制備及其性能研究.pdf

1、納米硫化鋅是一種過渡金屬硫化物半導體材料，其獨特的結(jié)構(gòu)性能在電子、光催化、光電轉(zhuǎn)化材料等領(lǐng)域有廣泛的應用。由于ZnS材料自身存在一些局限和缺陷，阻礙了它的進一步應用。
　　 本課題在微乳液體系中首次利用轉(zhuǎn)化法制備了核殼型ZnS/CdS納米復合半導體，并進行了系統(tǒng)研究。確定了較佳的制備工藝條件，實現(xiàn)了Zns/CdS納米復合半導體的簡單制備。為今后合成此類材料提供了理論參考和實踐經(jīng)驗。
　　 通過UV、PL表征了Zns/Cd

2、S納米復合材料的光學性能，探討了影響Zns/CdS納米復合半導體光學性能的實驗因素和影響規(guī)律。經(jīng)過大量的實驗探索得出:ZnS單晶的最佳生長溫度為35℃，實現(xiàn)ZnS/CdS核殼結(jié)構(gòu)的轉(zhuǎn)化反應的較佳溫度為60℃，轉(zhuǎn)化時間為120min，n(Cd/Zn)的最佳比值為1.0。
　　 將在同等條件下制備的單體ZnS、CdS納米顆粒、ZnCdS混晶樣品和ZnS/CdS納米復合顆粒進行UV、PL比較，發(fā)現(xiàn)所得的ZnS/CdS納米復合顆粒吸收光

3、譜發(fā)生了很大程度的紅移，發(fā)光性能得到了較大改善與提高，初次證實了ZnS/Cds核殼結(jié)構(gòu)的實現(xiàn)。利用原子力顯微鏡(AFM)、透射電子顯微鏡(TEM)等方法對所制樣品進行了進一步表征，結(jié)果表明，所制備的樣品Zns/CdS納米復合顆粒確實具有核殼兩層包覆結(jié)構(gòu)。顆粒平均直徑Sonln左右，粒徑尺寸分布窄。顆粒呈球形、表面光滑且無團聚現(xiàn)象。
　　 實驗結(jié)果表明，在微乳液體系中采用轉(zhuǎn)化法可成功制備核殼型ZnS/CdS納米復合半導體。與傳統(tǒng)上