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1、氮化鎵(GaN)是一種直接帶隙寬禁帶半導(dǎo)體材料，在光電子和微電子器件等方面具有廣泛的應(yīng)用。本文用簡(jiǎn)單易行的低成本的溶膠凝膠法制備出了高質(zhì)量的GaN粉體和薄膜材料，具有創(chuàng)新性和實(shí)際意義。采用Ga203為鎵源、檸檬酸為絡(luò)合劑制備出前驅(qū)體溶膠，再通過高溫氨化退火制備GaN粉體和薄膜。結(jié)果表明，當(dāng)前驅(qū)體溶膠pH值為中性，氮化溫度為950"C，氮化時(shí)間為90min時(shí)可制備出性能最佳的GaN納米粉體；XRD分析與選區(qū)電子衍射分析表明，所制備的薄膜樣
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