聚酰亞胺(PI)絕緣薄膜材料的低溫等離子體表面改性研究.pdf

1、隨著電氣與電子工業(yè)向高電壓、集成化的發(fā)展，對(duì)絕緣材料介電性能的要求越來(lái)越高，現(xiàn)有的絕緣材料無(wú)法滿(mǎn)足需要，必需通過(guò)對(duì)現(xiàn)有材料改性或制備新型材料來(lái)滿(mǎn)足高介電性能的要求。低溫等離子體以其優(yōu)異的化學(xué)活性，對(duì)現(xiàn)有絕緣材料進(jìn)行簡(jiǎn)單表面處理，就可以明顯提高材料的擊穿場(chǎng)強(qiáng)。國(guó)內(nèi)外的學(xué)者也對(duì)此做了很多的工作，但對(duì)表面處理提高擊穿場(chǎng)強(qiáng)的機(jī)理和對(duì)等離子體參數(shù)的要求沒(méi)有得出同一的答復(fù)。為了弄清這個(gè)機(jī)理，本文選用綜合電氣性能上佳的聚酰亞胺作為絕緣材料，用二步聚合

2、法制備出均勻的聚酰亞胺薄膜，然后用氧等離子體對(duì)其進(jìn)行表面處理，結(jié)果表明：等離子體處理后，薄膜的擊穿場(chǎng)強(qiáng)有所提高。主要內(nèi)容包括：
　　 ⑴闡述了低溫等離子體，對(duì)常用的等離子體源和等離子體診斷進(jìn)行了介紹；對(duì)低溫等離子體在絕緣材料制備和改性中的應(yīng)用進(jìn)行概括，并給出論文所研究的主要內(nèi)容。
　　 ⑵對(duì)現(xiàn)有的幾種等離子體源進(jìn)行比較，得出適用于絕緣材料表面處理的等離子體；簡(jiǎn)單介紹了表面波的形成過(guò)程，給出狹縫天線(xiàn)和整個(gè)表面波裝置示意圖。

3、
　　 ⑶設(shè)計(jì)探針電路來(lái)診斷射頻等離子體，分析測(cè)量結(jié)果，得出探針診斷射頻等離子體存在的困難，并給出解決這些困難的方法；相比探針診斷，微波診斷不受射頻信號(hào)的干擾，可以用于射頻等離子體的診斷。
　　 ⑷利用聚合法制備出均勻的聚酰亞胺薄膜，用氧等離子體對(duì)薄膜進(jìn)行表面處理；測(cè)量處理后薄膜的擊穿場(chǎng)強(qiáng)，得出處理后擊穿場(chǎng)強(qiáng)變化量與時(shí)間的關(guān)系，發(fā)現(xiàn)在處理時(shí)間為30s時(shí)，擊穿場(chǎng)強(qiáng)上升了12％。
　　 ⑸介紹了電介質(zhì)的擊穿機(jī)理，以此