電針“神庭”、“百會”對腦缺血再灌注損傷大鼠認知功能的影響及機制研究.pdf

1、　　目的
　　本研究擬通過建立局灶性腦缺血再灌注大鼠模型,電針“神庭”、“百會” 進行干預處理,動物認知行為學的評估及組織病理染色和分子生物學技術,探討電針對局灶性腦缺血再灌注損傷大鼠認知障礙的治療作用,并初步探討其作用機制。
　　方法
　　將60只健康雄性SD大鼠隨機分為假手術組、模型組和電針組,每組各20只。通過大腦中動脈線栓法(MCAO)建立局灶性腦缺血再灌注認知障礙動物模型,電針神庭和百會進行干預,

2、每天一次,共10天,每天電針結束后采用longe法進行動物神經功能學評分, Morris水迷宮評估模型大鼠空間學習、記憶能力；TTC染色觀察電針對模型大鼠腦梗塞體積的影響；Tunel 法檢測模型大鼠腦組織細胞凋亡的變化；Western Blot 及 RT-PCR 技術檢測腦缺血再灌注大鼠額葉皮質組織 NF-кB-p65 蛋白及其下游Bax、Fas基因及蛋白水平。
　　結果
　　1 大鼠行為學評分
　　從造模

3、后第3天開始電針組大鼠神經行為學評分開始下降,電針組與模型組相比,差異具有統(tǒng)計學意義(P<0.05)；電針后第4天開始進行水迷宮實驗,電針組大鼠在90秒內找到平臺逃避潛伏期、找到平臺所經過的路程均明顯縮短,與模型組相比,差異具有統(tǒng)計學意義(P<0.05),說明電針神庭、百會可以改善模型大鼠的空間學習能力。電針第9天撤去平臺后測動物在90秒內經過平臺所在位置的次數(shù),發(fā)現(xiàn)電針組大鼠經過平臺所在位置的次數(shù)明顯多于模型組,差異具有統(tǒng)計學意義(P

4、<0.05),說明電針神庭、百會可以改善模型大鼠的空間記憶能力。
　　2 TTC染色
　　電針后第 10 天,電針組大鼠腦梗塞體積明顯小于模型組,差異具有統(tǒng)計學意義(P<0.05),說明電針可以明顯縮小模型大鼠腦梗塞體積,對缺血腦組織具有神經保護作用。
　　3 Tunel結果
　　模型組(44.67±1.3%)和電針組(22.83±1.2%)大鼠缺血腦組織中凋亡陽性細胞比率明顯高于假手術(1.15

5、±0.1%),然而電針明顯減少了模型大鼠缺血腦組織中凋亡陽性細胞比率,差異具有統(tǒng)計學意義(P<0.05),說明電針可以抑制大鼠缺血腦組織細胞凋亡。4 Western blot及RT-PCR觀察大鼠額葉皮質腦缺血組織NF-κB-p65、Bax及Fas轉錄及翻譯水平
　　模型組大鼠腦缺血組織中NF-κB-p65 、Bax及Fas蛋白印跡和 mRNA擴增產物電泳條帶光密度較假手術組明顯升高,差異具有統(tǒng)計學意義(n=6,P<0.05)

6、。與模型組相比,電針組大鼠額葉皮質組織中NF-κB-p65、Bax及Fas蛋白印跡和 mRNA擴增產物電泳條帶光密度明顯降低,差異具有統(tǒng)計學意義(n=6,P<0.05),說明通過抑制NF-κB信號通路介導的細胞凋亡可能是電針改善腦缺血再灌注損傷大鼠空間學習、記憶能力及其具有神經保護作用的分子機制之一。
　　結論
　　1 電針“神庭”、“百會”可以改善局灶性腦缺血再灌注損傷大鼠的認知功能；
　　2 電針“神庭