TMS對(duì)字母工作記憶影響的研究.pdf

1、本文通過磁刺激作用接受字母工作記憶任務(wù)受試者的腦部位，探測(cè)磁刺激對(duì)字母工作記憶產(chǎn)生的影響。
　　 本文用心理學(xué)實(shí)驗(yàn)軟件E-Prime設(shè)計(jì)字母工作記憶任務(wù)，采用TMS精確導(dǎo)航定位系統(tǒng)對(duì)刺激點(diǎn)精確定位，前三組實(shí)驗(yàn)分別改變磁刺激三項(xiàng)參數(shù)對(duì)受試者施加磁刺激，并記錄行為學(xué)數(shù)據(jù)。三項(xiàng)參數(shù)包括刺激的部位，刺激的時(shí)間及刺激的頻率。第四組實(shí)驗(yàn)在5Hz高頻重復(fù)磁刺激和無磁刺激兩種條件下記錄完成字母工作記憶受試者的腦電信號(hào)并對(duì)腦電信號(hào)進(jìn)行特征分析。<

2、br>　　 行為學(xué)數(shù)據(jù)分析結(jié)果表明影響受試者字母工作記憶的主要時(shí)間點(diǎn)在受試者休息的間歇6s內(nèi)，主要部位在受試者的左側(cè)前額葉背外側(cè)，高頻磁刺激與無刺激相比反應(yīng)時(shí)間明顯縮短。對(duì)腦電信號(hào)進(jìn)行特征提取，用相干疊加平均提取事件相關(guān)電位的P300潛伏期，在5Hz高頻磁刺激下，受試者的P300潛伏期縮短，P300潛伏期表征受試者接受字母刺激到做出反應(yīng)的時(shí)限縮短，說明高頻磁刺激興奮了受試者字母工作記憶的主要部位，在此基礎(chǔ)上為了揭示腦區(qū)之間的信息傳遞過

3、程，對(duì)腦電信號(hào)進(jìn)行了時(shí)頻分析和相干分析，發(fā)現(xiàn)磁刺激施加后，小寫字母出現(xiàn)后0到500ms時(shí)段，β波段的能量顯著提高，高能量集中在α波段的時(shí)間變長(zhǎng)，β波在額葉與頂葉比較明顯，說明施加磁刺激后，受試者的額葉活動(dòng)增加，磁刺激激活了受試者的額葉部位。對(duì)比ITC觀察兩種條件下的鎖相關(guān)系發(fā)現(xiàn)β波段在施加刺激之后ITC值變小，說明此時(shí)鎖相關(guān)系變?nèi)?，能量在腦額葉及枕葉分布有所變化。施加磁刺激的被試在小寫字母出現(xiàn)后的300ms到500ms范圍內(nèi)β波段相干增