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1、氧化鋅是一種直接寬帶隙半導(dǎo)體材料,室溫帶隙為3.37eV,激子束縛能高達(dá)60meV,在光電器件、太陽(yáng)能電池,催化和敏感器件等領(lǐng)域里有廣泛的應(yīng)用前景。本文采用操作簡(jiǎn)單,成本低廉的液相法,實(shí)現(xiàn)了多種形貌氧化鋅的高產(chǎn)可控生長(zhǎng)及摻雜。主要研究?jī)?nèi)容和結(jié)果如下:
⑴取向氧化鋅納米線陣列的制備及物性研究。采用低溫水溶液生長(zhǎng)法,在涂有種子層的襯底上制備了高度[0001]取向的氧化鋅納米線陣列。
⑵形貌和取向可控生長(zhǎng)氧化鋅及熒
2、光性能研究。分別通過(guò)種子層改性誘導(dǎo)生長(zhǎng)和在生長(zhǎng)液中加入有機(jī)離子進(jìn)行調(diào)控,成功實(shí)現(xiàn)了形貌和取向可控制備納米氧化鋅。
⑶多孔氧化鋅空心微米球的制備和光催化性能研究。采用低溫液相自模板法,成功高產(chǎn)合成了表面為多孔網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)、整體為空心球結(jié)構(gòu)的微米球前驅(qū)體材料,通過(guò)在空氣中進(jìn)一步加熱而晶化成氧化鋅。多孔氧化鋅空心微米球顯示了較強(qiáng)的光催化降解有機(jī)污染物的能力。
⑷過(guò)渡金屬摻雜氧化鋅納米顆粒的制備及納米線陣列的組裝。采用溶
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