電共沉積法制備GaAs薄膜材料研究.pdf_第1頁(yè)
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1、作為第二代半導(dǎo)體材料的典型代表，砷化鎵(GaAs)材料較硅(Si)具有更好的半導(dǎo)體特性和光電特性，在多種高速器件和光電器件中有著廣泛的應(yīng)用。但是，傳統(tǒng)的GaAs薄膜制備方法具有設(shè)備復(fù)雜、成本高、能耗大、工藝周期長(zhǎng)和污染環(huán)境等缺點(diǎn)，限制了GaAs薄膜的廣泛應(yīng)用。而采用電共沉積法制備GaAs薄膜可以克服這些缺點(diǎn)。 雖然電沉積方法是一種歷久彌新的膜材料制備工藝，但電沉積GaAs薄膜卻鮮有研究，電沉積GaAs薄膜的質(zhì)量也有待提高。研究電

2、共沉積GaAs薄膜的工藝條件，分析影響沉積過(guò)程和沉積膜質(zhì)量的因素，改善電共沉積GaAs薄膜的質(zhì)量，并測(cè)試沉積膜的物理及化學(xué)特性，為電共沉積GaAs薄膜的應(yīng)用打下基礎(chǔ)，具有重要的意義。 本文以電共沉積合金理論為基礎(chǔ)，選取對(duì)電沉積影響較明顯的因素，如電流密度、電解液濃度與組分、電極材料等，進(jìn)行正交實(shí)驗(yàn)。利用掃描電子顯微鏡(SEM)、X射線(xiàn)衍射儀(XRD)等對(duì)實(shí)驗(yàn)獲得的沉積膜進(jìn)行表征，分析了各個(gè)因素對(duì)電共沉積GaAs薄膜的影響，得出本

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