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文檔簡介
1、干旱是影響作物產(chǎn)量的主要非生物脅迫之一。近年來的研究認(rèn)為硫化氫(H2S)能夠提高植物對干旱的耐受性。為了探索H2S對小麥抗旱性的效應(yīng)與機理,本文以洛旱6號(耐旱品種)和中國春(干旱敏感型品種)小麥為材料,研究了外源H2S對干旱脅迫下小麥葉綠體PSⅡ光化學(xué)活性及D1蛋白周轉(zhuǎn)的影響,對H2S合成關(guān)鍵酶基因TaLCD和TaDCD及D1蛋白降解基因TaDeg1、TaDeg2、TaDeg5、TaDeg7、TaDeg8、TaFtsH1/5、TaFt
2、sH2/8和TaPBCP進行克隆測序,并通過農(nóng)桿菌介導(dǎo)法將TaLCD和TaDCD進行遺傳轉(zhuǎn)化,獲得了擬南芥轉(zhuǎn)基因植株。主要實驗結(jié)果如下:
1、H2S緩解了干旱脅迫對小麥幼苗造成的傷害。使用硫氫化鈉(NaHS)(一種H2S供體)處理后,與干旱脅迫處理組相比,小麥幼苗長勢較好,小麥葉片相對水分含量(RWC)明顯增加,硫代巴比妥酸反應(yīng)物(TBARS)和過氧化氫(H2O2)含量顯著降低,過氧化氫酶(CAT)和超氧化物歧化酶(SOD)的
3、活性顯著提高。說明H2S增強了小麥的抗氧化系統(tǒng),增強了其清除活性氧的能力,緩解了干旱對小麥的氧化脅迫。
2、H2S緩解了干旱脅迫對小麥葉片光合作用的抑制。在施加NaHS后,在相同的干旱脅迫下,小麥幼苗的最大光化學(xué)效率(Fv/Fm)、實際光化學(xué)效率(ΦPSⅡ)、電子傳遞速率(ETR)和光化學(xué)猝滅系數(shù)(qP)均較未施用NaHS的植株顯著提高,而非光化學(xué)猝滅系數(shù)(qN)明顯降低,各項熒光參數(shù)指標(biāo)均恢復(fù)到接近對照組水平,說明外源硫化氫
4、能夠減輕干旱脅迫對植物PSII的損傷,維持PSII的光化學(xué)效率,保證光合作用的進行。
3、H2S促進了D1蛋白的快速周轉(zhuǎn),保護了PSⅡ的修復(fù)循環(huán)。D1蛋白是PSⅡ反應(yīng)中心最易受損的蛋白。干旱脅迫下,在用NaHS處理以后,與不用NaHS處理相比,D1蛋白含量和磷酸化的D1蛋白含量均顯著降低,但轉(zhuǎn)錄水平上PsbA基因(D1蛋白合成基因)的表達(dá)量明顯提高,可能是因為STN8(D1蛋白磷酸化基因)和D1蛋白降解相關(guān)基因(Deg1、De
5、g5、Deg8、FtsH2/8和FtsH1/5)表達(dá)顯著提高造成的結(jié)果。說明H2S通過促進D1蛋白的快速周轉(zhuǎn)緩解了干旱脅迫對PSII的損傷,而不僅僅是提高D1蛋白的含量。
4、克隆了H2S合成及D1蛋白周轉(zhuǎn)相關(guān)的基因,為了解H2S作用的分子機理提供基礎(chǔ)。運用電子克隆技術(shù)得到了TaLCD、TaDCD及D1蛋白降解基因TaDeg1、TaDeg2、TaDeg5、TaDeg7、TaDeg8、TaFtsH1/5、TaFtsH2/8和Ta
6、PBCP的全長或部分序列,然后根據(jù)擬南芥和二穗短柄草中的同源基因設(shè)計同源引物,以小麥(中國春)cDNA為模板對這些基因進行了克隆,最終得到TaLCD(1398bp),TaDCD(1263bp),TaDeg1(1284bp),TaDeg2(1803bp),TaDeg5(936bp),TaDeg7(3276bp),TaDeg8(1338bp),TaFtsH1/5(2063bp),TaFtsH2/8(2022bp)和TaPBCP(969bp)
7、的CDS區(qū)序列。將這些基因分別與擬南芥(Arabidopsis thaliana)和二穗短柄草(Brachypodium distachyon)做同源性對比發(fā)現(xiàn),與二穗短柄草的同源性更高。
5、分別構(gòu)建了TaLCD和TaDCD的過表達(dá)載體,以擬南芥為受體材料,通過農(nóng)桿菌介導(dǎo)法對其進行遺傳轉(zhuǎn)化,并對遺傳轉(zhuǎn)化獲得的轉(zhuǎn)基因擬南芥進行了初步鑒定,得到了TaLCD和TaDCD轉(zhuǎn)基因擬南芥的陽性植株,為進一步研究TaLCD和TaDCD的功
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