雙層石墨烯中空位缺陷引發(fā)的層極化電子傳輸現(xiàn)象.pdf

1、中圖分類號：0469UDC：530密級：學校代碼：訶J4I￡解為尤孥碩士學位論文(學歷碩士)公開10094雙層石墨烯中空位缺陷引發(fā)的層極化電子傳輸現(xiàn)象Vacancydefectsmducedlayerpolarizedelectrontransmissioninbilayergraphene作者姓名：指導教師：學科專業(yè)名稱：研究方向：論文開題日期：張志明張迎濤教授凝聚態(tài)物理自旋電子學2011年9月8日摘要本文主要采用非平衡格林函數(shù)方法，

2、同時結合緊束縛近似理論和LandauerBiittiker方程探究了空位缺陷對zigzag邊界的雙層石墨烯納米條帶(ZBGNs)電子輸運性質的影響。雙層石墨烯有ABstacking和AAstacking兩種堆積結構。在雙層石墨烯其中一條納米條帶中移去一個碳原子，這樣構成了Tvacancy或Hvacancy兩種類型的空位缺陷。我們研究結果表明，對于ABstacking結構的雙層石墨烯納米條帶，由于空位缺陷存在于其中一層烯納米條帶的最邊界處

3、，此時層極化的電子傳輸特性被引發(fā)，同時產生的電流被稱為層極化電流。對于AAstacking結構的雙層石墨烯納米條帶，當樣品尺寸很小時，此時能帶結構中第一次波帶是二重簡并的，這也表明層極化輸運特征出現(xiàn)。此外，當AAstacking結構的雙層石墨烯納米條帶中存在T空位缺陷時，在兩個“谷”附近區(qū)域出現(xiàn)一個“墨西哥帽”結構樣式的能帶圖譜。另外，當雙層石墨烯中兩個碳原子層之間存在一個勢差U時，此時匿墨烯電子一空穴對稱性被打破，但對于兩種結構的石墨