基于802.11abgcmos雙頻段低噪聲放大器的研究與設計

1、華東師范大學碩士學位論文基于802.11abgCMOS雙頻段低噪聲放大器的研究與設計姓名：景一歐申請學位級別：碩士專業(yè)：微電子學與固體電子學指導教師：賴宗聲200704012007屆華東師范大學碩士學位論文摘要近年來，主流無線局域網市場表現出了多種無線標準共存的局面(80211a／b／g)，無線網絡設備要求能夠兼容所有的工作模式。隨著成本的降低和各個供應商之間的激烈競爭，采用多套獨立系統(tǒng)來實現對多標準兼容的方法已經變得過時，市場對多頻段

2、收發(fā)機的需求顯得愈發(fā)明顯。作為降低成本的有效解決方案，無線局域網領域的多頻段技術越來越引起人們的注意。同時，CMOS技術作為一種IC主流的工藝，隨著線條尺寸的減小，其高頻特性不斷取得突破，甚至達到了100GHz。本文就多頻段無線局域網接收機中的關鍵模塊之——雙頻段低噪聲放大器的設計和采用RFCMOS工藝實現進行了研究。在充分的文獻調研基礎上，本文取得了以下結果：1本文首先就低噪聲放大器所在的鏡像抑制接收機進行了介紹，設計了接收機的鏈路增

3、益分配。通過級聯(lián)系統(tǒng)線性度和噪聲的公式，推導出了適合無線局域網接收機的低噪聲放大器所要達到的性能指標。2本文在兩端口噪聲網絡模型的基礎上加以推導，建立了MOSFET的噪聲兩端口網絡模型，并通過兩端口網絡模型的噪聲匹配條件導出了MOSFET噪聲匹配的條件。3分析了文獻所報道的各種電感模型的優(yōu)缺點后，采用了最新的襯底耦合模型，對低噪聲放大器中所需要的片上電感進行建模，給出了參數擬和的方法與步驟，并且與較為常用的雙萬模型進行仿真對比。4基于H