

版權(quán)說明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請進行舉報或認領(lǐng)
文檔簡介
1、中圖分類號:學校代碼:10055UDC:密級:公開碩士學位論文磁控濺射法生長ITO薄膜及其在HIT太陽電池中的應用StudyofpropertiesofITOthinfilmspreparedbyDCmagronsputteringapplicationonHITsolarcells論文作者胡楠指導教師張德賢教授申請學位工學碩士培養(yǎng)單位電子信息與光學工程學院學科專業(yè)物理電子研究方向薄膜材料與器件答辯委員會主席李志青評閱人張建軍蔡宏琨南開
2、大學研究生院二○一五年五月萬方數(shù)據(jù)南開大學學位論文原創(chuàng)性聲明南開大學學位論文原創(chuàng)性聲明本人鄭重聲明:所呈交的學位論文,是本人在導師指導下進行研究工作所取得的研究成果。除文中已經(jīng)注明引用的內(nèi)容外,本學位論文的研究成果不包含任何他人創(chuàng)作的、已公開發(fā)表或者沒有公開發(fā)表的作品的內(nèi)容。對本論文所涉及的研究工作做出貢獻的其他個人和集體,均已在文中以明確方式標明。本學位論文原創(chuàng)性聲明的法律責任由本人承擔。學位論文作者簽名:胡楠2015年5月27日非公
3、開學位論文標注說明(本頁表中填寫內(nèi)容須打印)根據(jù)南開大學有關(guān)規(guī)定,非公開學位論文須經(jīng)指導教師同意、作者本人申請和相關(guān)部門批準方能標注。未經(jīng)批準的均為公開學位論文,公開學位論文本說明為空白。論文題目申請密級□限制(≤2年)□秘密(≤10年)□機密(≤20年)保密期限20年月日至20年月日審批表編號批準日期20年月日南開大學學位評定委員會辦公室蓋章(有效)注:限制★2年(可少于2年)秘密★10年(可少于10年)機密★20年(可少于20年)萬
溫馨提示
- 1. 本站所有資源如無特殊說明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
- 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
- 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁內(nèi)容里面會有圖紙預覽,若沒有圖紙預覽就沒有圖紙。
- 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
- 5. 眾賞文庫僅提供信息存儲空間,僅對用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護處理,對用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對任何下載內(nèi)容負責。
- 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當內(nèi)容,請與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
- 7. 本站不保證下載資源的準確性、安全性和完整性, 同時也不承擔用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。
最新文檔
- 磁控濺射法生長ITO薄膜及其在HIT太陽電池中的應用.pdf
- 直流磁控濺射ITO薄膜的性能研究及其在太陽電池中的應用.pdf
- 單靶磁控濺射法制備CZTS(Se)薄膜及其在太陽電池中的應用.pdf
- ITO薄膜的制備與研究及其在HIT太陽電池上的應用.pdf
- ITO薄膜及其在柔性硅基薄膜太陽電池中的應用研究.pdf
- 磁控濺射技術(shù)生長氫化Ga摻雜ZnO-TCO薄膜及其太陽電池應用研究.pdf
- 直流磁控濺射制備優(yōu)質(zhì)ITO薄膜及其在異質(zhì)結(jié)電池中的應用.pdf
- 晶硅薄膜的制備及其在太陽電池中的應用.pdf
- 硅基薄膜材料制備及其在太陽電池中的應用.pdf
- AZO薄膜的制備及其在硅基薄膜太陽電池中的應用.pdf
- 薄膜太陽電池發(fā)電性能研究和HIT太陽電池優(yōu)化模擬.pdf
- 微晶硅鍺薄膜生長研究及其在太陽電池中的初步應用.pdf
- 微晶硅薄膜的制備及其在太陽電池中的應用.pdf
- MOCVD技術(shù)制備的BZO薄膜及其在太陽電池中的應用.pdf
- 磁控濺射摻鋁氧化鋅(AZO)薄膜及其在多晶硅太陽電池上的應用.pdf
- 近空間升華法CdTe薄膜及其在太陽電池中的應用.pdf
- 近空間升華法制備CdTe薄膜及其在太陽電池中的應用.pdf
- 射頻磁控濺射低溫制備ITO薄膜及HIT電池的退火研究.pdf
- ftir在晶體硅太陽電池中的應用
- 含硅量子點SiNx薄膜特性及其在太陽電池中的應用.pdf
評論
0/150
提交評論