納米半導體修飾金屬電極的制備、表征及其催化性能研究_第1頁
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文檔簡介

1、天津大學碩士學位論文納米半導體修飾金屬電極的制備、表征及其催化性能研究姓名:劉洋申請學位級別:碩士專業(yè):應用化學指導教師:張衛(wèi)國20061201ABSTRACTInthisdissertation,withalloy(Cu/NiWP)asunderlay,Wepreparedsemiconductor(Ti02andCdS)electrodeandTi02/CdSsemiconductorcompoundelectrodebychemi

2、calbathdepositionprocessandsolgelprocessAlloymaterialhasgoodcatalysisintheprocessofhydrogenoutgoingandcompoundsemiconductorhasgoodphotoelectricitypropertyAccordingtocathodicpolarizationcurves、SEM、XRDandimpedancetest,thei

3、nfluencethatthesinteringtemperature,thicknessofTi02filmandthicknessofCdSfilmexposetothephoto—electricityoftheelectrodeisstudiedTheresultshowsthatafterheattreatmentat200℃,NiWPalloyelectrodesexhibitthehighestelectrocatalyt

4、icactivityforHERandtheoverpotentialisloweredby110mVat8mA/cm2comparedwithNiWPalloywithoutheattreatment,nleelectrochemicalreactionresistanceforHERofNiWPalloyheattreatedat200。Cis171Qcm2anditsexchangecurrentdensityis50timesa

5、shi曲asthatofNiWPalloywithoutheattreatmentTheincreaseinelectrocatalyticactivityofNiWPalloyscallbeattributedtotheincreaseintherealsurfaceareasandthedecreaseintheapparentenergyofactivationThesurfacemorphologyandmicrostructu

6、reofNiWPalloyelectrodeWerecharacterizedTheaveragegrainsizeofNiWPalloyannealedat200℃increasesfrom11t028nmanditsstructurechangesfromamorphoustonanocrystallineTheTi02/NiWPelectrodeannealedat550℃forlhhasthebestphotoelectroca

7、talyticactivityforHER,andtheoverpotentialforHERdecreasesabout140mVunderilluminationTheTi02filmwiththeaveragegrainsizeof510nmismixedcrystalstructurecontaininganataseandruflecrystalphasesSemiconductorcompoundelectrodewitha

8、lloy(Cu/NiWP)asunderlaywhichsinteringtemperaturefor550℃,thethicknessofTi02filmforfifteenlayers,thethicknessofCdSfilmforfourlayershasthebestphotoelectricityproperty,andphotocurrentwithlightonincreased5000aAlso,whenaddtosu

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