21861.低維硒化鎘納米材料物理性能預測

1、學校代碼：10270分類號：O496學號：122200728碩士學位論文低維硒化鎘納米材料物理性能預測學院：數理學院專業(yè)：凝聚態(tài)物理研究方向：計算凝聚態(tài)物理研究生姓名：俞國龍指導教師：葉翔副研究員完成日期：2015年3月上海師范大學碩士學位論文摘要I論文題目論文題目：低維硒化鎘納米材料性能預測學科專業(yè)：學科專業(yè)：凝聚態(tài)物理學位申請人：學位申請人：俞國龍導師：導師：葉翔副研究員摘要摘要自石墨烯被發(fā)現以來，由于其獨特的幾何結構和優(yōu)異的物理的

2、性能，越來越受科研界的關注。本征結構的石墨烯帶隙為零，科學家用物理方法施加應變使其能隙打開，或者通過化學方法摻雜其它原子來得到有帶隙的石墨烯。還有通過改變石墨烯的維度，將兩維的石墨烯剪切成一維的石墨帶，來調節(jié)其電子結構，磁學和光學性質。由于二維納米結構的獨特性及石墨烯零帶隙的問題，尋找及研究類似石墨烯的具有非零帶隙的二維結構是現如今非常熱門的一個研究課題。通過近幾年科學家的不斷努力，類石墨烯的二維及一維體系不斷的被發(fā)現。其中包括過金渡屬

3、氧化物，IIVI族化合物，IIIV族化合物等。CdSe作為IIVI族中一種重要的直接躍遷、較寬禁帶的半導體材料，具有獨特的物理和化學性能，并已成功應用于光放大器、太陽能電池、光電器件、生物熒光標記等。在過去幾十年科研界致力尋找的二維結構的硒化鎘納米片已經在實驗上通過溶膠的方法制備出1.4nm厚度。雖然實驗已經制備出一定厚度CdSe納米片，但是對單層二維及一維CdSe納米片納米帶的電子結構、光學和磁學性質的研究還比較少。本論文的主要研究內