多晶硅的檢測(cè)和生長(zhǎng)大全

1、多晶硅塊檢測(cè)簡(jiǎn)介,周建武 2010.12.1,目錄,一.硅的性質(zhì)二.多晶硅塊的檢測(cè)項(xiàng)目三.影響少子壽命的主要因素,一、硅的性質(zhì),1、硅的物理性質(zhì)2、硅的化學(xué)性質(zhì)3、硅原料處理流程,1、硅的物理性質(zhì),a.固體密度：2330 kg/m3b.溶體密度：2500 kg/m3 c.硬度值：6.5d.晶體

2、結(jié)構(gòu)：面心立方e.熔點(diǎn): 1414 ℃,硅的晶體結(jié)構(gòu),2、硅的化學(xué)性質(zhì),硅在地殼中的含量居第二位約為26％，僅次于氧，所以說(shuō)是遍地皆硅，原子量為28.0855 價(jià)電子排布[3s2 3p2], 氧化價(jià)4。硅是硬脆性的，比玻璃要硬。在自然界中硅是以化合物形式存在，例如石英石，白崗巖中都含有硅。常溫下，只與堿、氟化氫、氟氣反應(yīng)，不與硫酸、鹽酸、硝酸等反應(yīng)。反應(yīng)方程式 Si+2NaOH+H2O=Na2SiO3+2H2↑ Si+

3、2F2=SiF4 3Si+4HNO3+18HF=3H2SiF6+4NO↑+8H2O,,3、硅原料處理流程,硅料打磨,分選,酸洗,堿洗,超聲波清洗,烘干,冷卻,包裝硅料,,,,,,,,二.多晶硅塊的檢測(cè)項(xiàng)目,1.導(dǎo)電類(lèi)型 2.電阻率 3.少子壽命 4.紅外探傷,1、導(dǎo)電類(lèi)型測(cè)試導(dǎo)電類(lèi)型是一個(gè)重要的基本電學(xué)參數(shù),根據(jù)多晶鑄錠時(shí)所摻雜的元素,可以將多晶劃分為P型和N型兩大類(lèi).P型多晶中多數(shù)載流子是空穴,它主要是依靠空穴來(lái)

4、導(dǎo)電;因此P型半導(dǎo)體又可稱(chēng)為空穴半導(dǎo)體;N型半導(dǎo)體則相反。P型：摻入硼，鎵元素或合金。N型：摻入磷，砷元素或合金。,在樣品上壓上三個(gè)探針,針距在0.15~1.5mm的范圍內(nèi)在探針1和探針2之間通過(guò)限流電阻接上6~24V(一般為12V)的交流電源,在探針2和探針3之間接檢流計(jì).根據(jù)檢流計(jì)指示偏轉(zhuǎn)的方向就可以判定半導(dǎo)體的樣品是P型還是N型.,三探針測(cè)導(dǎo)電類(lèi)型的原理:,PN結(jié):P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體相互接觸時(shí)，其交界區(qū)域稱(chēng)為PN結(jié)。

5、P區(qū)中的自由空穴和N區(qū)中的自由電子要向?qū)Ψ絽^(qū)域擴(kuò)散，造成正負(fù)電荷在PN結(jié)兩側(cè)的積累，形成電偶極層。電偶極層中的電場(chǎng)方向正好阻止擴(kuò)散的進(jìn)行。當(dāng)由于載流子數(shù)密度不等引起的擴(kuò)散作用與電偶層中電場(chǎng)的作用達(dá)到平衡時(shí)，P區(qū)和N區(qū)之間形成一定的電勢(shì)差，稱(chēng)為接觸電勢(shì)差。,由于P區(qū)中的空穴向N區(qū)擴(kuò)散后與N區(qū)中的電子復(fù)合，而N區(qū)中的電子向P區(qū)擴(kuò)散后與P區(qū)中的空穴復(fù)合，這使電偶極層中自由載流子數(shù)減少而形成高阻層，故電偶極層也叫阻擋層，阻擋層的電阻值往往是組成

6、PN結(jié)的半導(dǎo)體的原有阻值的幾十倍乃至幾百倍。,2、電阻率測(cè)試,摻硼電阻率為1－3Ω·cm摻鎵的電阻率0.5－6Ω·cm。(單晶)摻入硼多，電阻率就低。反之則高?？筛鶕?jù)摻雜計(jì)算, 知道加入的硼量,電阻率測(cè)試原理(渦流法):,樣品放置在對(duì)中的傳感元件或換能器之中，換能器為施加高頻磁場(chǎng)的高磁導(dǎo)率的磁體。硅在高頻磁場(chǎng)中產(chǎn)生感生電流，此電流的流通方向呈閉合漩渦狀，稱(chēng)渦電流或渦流。樣品中的渦流消耗能量，為保持高頻振蕩器的電壓

7、不變，高頻電流將增加。樣品電阻越低，高頻電流的增量越大，呈反比。測(cè)量電流值，可以獲得樣品的方塊電阻或電阻率。,電阻率測(cè)試原理示意圖,控制器,渦流傳感器,高頻線圈,3、少子壽命,對(duì)于P型半導(dǎo)體硅材料而言,產(chǎn)生非平衡載流子的外界作用撤除以后,它們要逐漸衰減致消失,最后載流子濃度恢復(fù)到平衡時(shí)的值,非平衡少數(shù)載流子的平均生存時(shí)間稱(chēng)為非平衡少數(shù)載流子的壽命,簡(jiǎn)稱(chēng)少子壽命. 單位 (微秒)。我們公司硅片的少子壽命值為1.2微秒以上，硅塊取值

8、是在2微秒以上。,S,少子壽命的測(cè)試原理,微波光電導(dǎo)衰退法(Microwave photoconductivity decay)測(cè)試少子壽命，主要包括激光注入產(chǎn)生電子-空穴對(duì)和微波探測(cè)信號(hào)這兩個(gè)過(guò)程。904nm 的激光注入（對(duì)于硅，注入深度大約為30μm）產(chǎn)生電子-空穴對(duì)，導(dǎo)致樣品電導(dǎo)率的增加，當(dāng)撤去外界光注入時(shí)，電導(dǎo)率隨時(shí)間指數(shù)衰減，這一趨勢(shì)間接反映少數(shù)載流子的衰減趨勢(shì)，從而通過(guò)微波探測(cè)電導(dǎo)率隨時(shí)間變化的趨勢(shì)就可以得到少數(shù)載流子的壽命

9、。,少子壽命測(cè)試圖像,4、紅外探傷儀,紅外探傷儀的測(cè)試原理: 衍射（Diffraction）又稱(chēng)為繞射，波遇到障礙物或小孔后通過(guò)散射繼續(xù)傳播的現(xiàn)象。衍射現(xiàn)象是波的特有現(xiàn)象，一切波都會(huì)發(fā)生衍射現(xiàn)象。 紅外線由紅處光源發(fā)出，透射過(guò)硅塊后，由紅外相機(jī)探測(cè)透射過(guò)來(lái)的紅外光線強(qiáng)度。缺陷核心對(duì)紅外射線有吸收、反射、散射作用，導(dǎo)致紅外射線的損失通過(guò)圖像上的明暗差異，可以借此確定雜質(zhì)的位置。,紅外探傷儀測(cè)試的原理平面圖,,三、影響少子壽命的主

10、要因素,1、位錯(cuò)2、碳含量過(guò)多3、氧含量過(guò)多4、微晶5、雜質(zhì)過(guò)多,1、位錯(cuò),在多晶鑄錠過(guò)程中,由于熱應(yīng)力的作用會(huì)導(dǎo)致位錯(cuò)的產(chǎn)生.另外,各種沉淀的生成及由于晶格尺寸的不匹配也會(huì)導(dǎo)致位錯(cuò)的產(chǎn)生.這些位錯(cuò)本身就具有懸掛鍵,存在電學(xué)活性,降低少數(shù)載流子的壽命.而且金屬在此極易偏聚,對(duì)少子壽命的降低就更加嚴(yán)重。,2、碳含量,太陽(yáng)電池的碳含量要求是小于1ppm（5 x 1016 即1ug/mL）碳會(huì)影響太陽(yáng)電池的質(zhì)量，碳的分凝系數(shù)為0.07

11、，所以硅熔體中絕大部分的碳集中在堝底。堝底料過(guò)多是不好的。多晶硅中的碳作為鑄造多晶硅中的另外一種雜質(zhì)，其熱化學(xué)反應(yīng)： SiO2 +2 C ==? 2CO + Si 主要來(lái)源于石墨熱場(chǎng)的沾污，處于替代位置上的碳對(duì)材料的電學(xué)性能并無(wú)影響，但是當(dāng)碳的濃度超過(guò)其溶解度很多時(shí)，就會(huì)有沉淀生成，誘生缺陷，導(dǎo)致材料的電學(xué)性能差，在快速熱處理時(shí)，就會(huì)有沉淀生成，誘生缺陷，導(dǎo)致材料的電學(xué)性能變差。,3、氧含量,氧含量應(yīng)≤1

12、x 1018。氧是多晶硅中的一種非常重要的雜質(zhì)，它主要來(lái)源于石英坩堝的沾污。在硅的熔點(diǎn)溫度下，硅和二氧化硅發(fā)生如下熱化學(xué)反應(yīng) SiO2+Si = 2SiO SiO 被硅熔體中的熱對(duì)流帶至坩堝中心的過(guò)程中，99%的SiO蒸發(fā)了，僅1％的SiO進(jìn)入晶體中，形成了硅中的氧含量。這樣在鑄錠多晶硅過(guò)程中，從底部到頭部，從邊緣到中心，氧濃度逐漸降低，雖然低于溶解度的間隙氧化并不顯電學(xué)活性，但

13、是當(dāng)間隙氧的濃度高于其溶解度時(shí)，就會(huì)有氧施主、熱施主和氧沉淀生成，進(jìn)一步產(chǎn)生位錯(cuò)、層錯(cuò)。從而成為少數(shù)載流子的復(fù)合中心。溫度越高產(chǎn)生的SiO越多，坩堝的熔蝕量就越大。,4、微晶,微晶的產(chǎn)生：1、由于雜質(zhì)過(guò)多引起的組份過(guò)冷。2、長(zhǎng)晶速度過(guò)快,,5、雜質(zhì),雜質(zhì)分為貴金屬、重金屬。貴金屬包括金、銀。重金屬如銅、鐵等。由于鐵的分凝系數(shù)較小，在結(jié)晶的過(guò)程中，鐵原子不斷向硅錠頂部聚集，從而也導(dǎo)致頂部鐵濃度較高。也由于鐵具有較大的固相擴(kuò)散和擴(kuò)散速

14、度，所以坩堝以及氮化硅保護(hù)層中和原材料中所包含的金屬雜質(zhì)則成為硅錠底部處鐵的主要來(lái)源。,頂部雜質(zhì),,附：開(kāi)方后硅塊檢測(cè)項(xiàng)目及標(biāo)準(zhǔn),謝謝！,太陽(yáng)電池用硅片外觀檢測(cè)裝置ＴＤ２００,2010年11月株式會(huì)社 安永CE事業(yè)部 営業(yè)部門(mén),特征,太陽(yáng)能電池用硅片外觀檢測(cè)綜合提案硅片表面缺陷檢查（硅片上面/下面）硅片尺寸?形狀測(cè)定不可視內(nèi)部裂痕檢查（0° / 90°2階段檢查）硅片4邊edge詳細(xì)缺陷檢查硅片ed

15、ge側(cè)面厚度測(cè)定３Ｄ檢測(cè)（厚度,TTV,線痕 ,段差,棱線,翹曲）高速檢查 1.0sec/wafer對(duì)應(yīng)單晶以及多晶硅片　對(duì)應(yīng)金剛線加工硅片,檢查系統(tǒng)構(gòu)成圖,Edge檢查 – 左,Edge檢查- 右,不可視裂痕檢查（NVCD） 0°,上表面檢查,Edge檢查 – 后,Edge檢查– 前,不可視裂痕檢查（NVCD） 90°,下表面檢查,硅片90°轉(zhuǎn)向,3D 激光檢查,,,To 傳送分選部,動(dòng)作

16、錄像,基本配置,檢查項(xiàng)目一覽,上面檢查部,下面檢查部,上面/下面　表面檢查部,表面缺陷檢查污濁,傷痕,指紋等,硅片尺寸測(cè)定全長(zhǎng)/全寬,直徑,去角,角度,上面/下面　表面檢查部,檢測(cè)例１）污濁不良（單晶）,檢測(cè)在約W0.4mm范圍內(nèi)存在的微小污濁,,上面/下面　表面檢查部,檢測(cè)例２）污濁不良（多晶）,,,,檢測(cè)出約１.2×0.6mm的污濁，五其他部位的過(guò)度檢測(cè),上面/下面　表面檢查部,不可視裂痕 NVCD檢查部（0&

17、#176;,90°）,與其他公司比較，可以將更小的裂痕用更清晰的方式檢測(cè)出來(lái) Crack-Amplifier Technology*,*Patent Pending,他社方式,安永TD200,不可視裂痕 NVCD檢查部（0°,90°）,檢測(cè)例）細(xì)微的內(nèi)部裂痕TD200可以在硅片 0°以及 90°放置時(shí)檢測(cè)可對(duì)由于方向不同而造成的檢測(cè)困難的裂痕做出精確的檢測(cè),硅片0°檢查

18、時(shí)的畫(huà)像,硅片90°檢查時(shí)的畫(huà)像,不可視裂痕 NVCD檢查部（0°,90°）,Edge檢查部,＜edge檢查部概圖＞,Edge檢查部,硅片側(cè)面edge部位容易發(fā)生歸類(lèi)于重度不良的。TD200擁有對(duì)硅片4邊edge部位進(jìn)行集中檢查的機(jī)能。,Edge檢查部,＜edge檢查范圍＞　　edge部表/里面　　?崩邊、缺口檢查　　edge部側(cè)面　　　?崩邊、缺口檢查　　?edge側(cè)面厚度測(cè)定檢查分

19、辨率15um/pix,,,11.5mm,檢查例１）檢查edge部缺口,缺口大?。膃dge開(kāi)始0.6mm長(zhǎng)度2.9mm側(cè)面畫(huà)像中也可確認(rèn)到缺口。,,,Edge檢查部,edge表面,Edge里面,側(cè)面,側(cè)面畫(huà)像也可確認(rèn)到不良,Edge檢查部,檢查例２）檢查edge部缺口,可以從edge側(cè)面畫(huà)像中檢查出硅片厚度1/2左右的缺陷,Edge檢查部,檢查例３）檢查edge側(cè)面細(xì)微缺口,可在edge檢查中獲取的側(cè)面畫(huà)像中測(cè)定edge部的

20、厚度（去角部除外）,,,,,,,,,,Edge側(cè)面畫(huà)像,Edge檢查部,檢查例４）測(cè)定edge側(cè)面厚度,激光變位器6set（上3/下3）,3D激光檢查部,厚度（Max,Min,Ave）TTV線痕段差棱線翹曲,3D激光檢查部,檢查例１）厚度小不良,上面測(cè)定結(jié)果下面測(cè)定結(jié)果,,,厚度演算結(jié)果下限規(guī)格在150μm以下的作不良判定,,3D激光檢查部,段層不良,線痕不良,,,,,檢查例２）段層、線痕不良,3D激光檢查部,＜標(biāo)準(zhǔn)

21、式樣＞對(duì)應(yīng)硅片清洗籮筐 （2套/自動(dòng)交換）*可對(duì)應(yīng)摞片式、以及客戶專(zhuān)用式樣,上料部（硅片供給部）,卸料分選部,,＜標(biāo)準(zhǔn)式樣＞良品分裝段數(shù):8（4段×2處）不良品分裝段數(shù):7（1段×7處）130片/段（t200um厚硅片）*良品最多可分16段,不良品最多可分10段,全9ポート／4or2or1段機(jī)構(gòu),,,,,,,,,,Wafer,Thank you for your participationsBest

22、 wishes to all of you,,歡迎進(jìn)入硅片檢驗(yàn)培訓(xùn)課堂,公司簡(jiǎn)介公司質(zhì)量方針及質(zhì)量目標(biāo)5S簡(jiǎn)介及效益硅片（單晶/多晶）檢驗(yàn)知識(shí)基本簡(jiǎn)介各類(lèi)檢測(cè)工具的簡(jiǎn)介手檢培訓(xùn)流程及內(nèi)容機(jī)檢培訓(xùn)流程及內(nèi)容,員工培訓(xùn)課程,一、公 司 簡(jiǎn) 介,江蘇格林保爾光伏有限公司是專(zhuān)業(yè)從事太陽(yáng)能電池、太陽(yáng)能電池組件和光伏發(fā)電系統(tǒng)的研發(fā)、生產(chǎn)、銷(xiāo)售和服務(wù)的高科技企業(yè)。 為公用電力、住宅、商業(yè)、交通及公共事業(yè)等諸領(lǐng)域提供綠色、清潔

23、、永續(xù)的太陽(yáng)能光伏電力解決方案。 全部產(chǎn)品通過(guò)CE、TUV、IEC、VDE等國(guó)際權(quán)威機(jī)構(gòu)認(rèn)證。,二、公司質(zhì)量方針及目標(biāo),1、質(zhì)量方針：通過(guò)持續(xù)創(chuàng)新努力降低太陽(yáng)能電力制造成本，始終如一地履行為客戶提供卓越產(chǎn)品的承諾，優(yōu)質(zhì)服務(wù)，爭(zhēng)創(chuàng)世界品牌，發(fā)展低碳經(jīng)濟(jì)，以先進(jìn)的太陽(yáng)能技術(shù)為人類(lèi)發(fā)展提供綠色電力。2、質(zhì)量目標(biāo)：太陽(yáng)能電池組件合格率≥99.8%太陽(yáng)能電池片合格率≥94%顧客滿意率≥80%,三、5S簡(jiǎn)介及效益,1、5S概念是

24、指：整理(SEIRI)、整頓(SEITON)、清掃(SEISO)、清潔(SEIKETSU)、素養(yǎng)(SHITSUKE)五個(gè)項(xiàng)目，因日語(yǔ)的拼音均以“S”開(kāi)頭,簡(jiǎn)稱(chēng)5S. 備注：加上安全（SAFETY) 、節(jié)約(Save) 為7S，即7S=5S+2S。2、5S起源于日本,通過(guò)規(guī)范現(xiàn)場(chǎng),營(yíng)造一目了然的工作環(huán)境,強(qiáng)調(diào)的是行動(dòng)，持續(xù)的、有恒的去做，培養(yǎng)員工良好的工作習(xí)慣,其最終目的是提升人的品質(zhì).,革除馬虎之心,養(yǎng)成凡事認(rèn)真的習(xí)慣 (認(rèn)認(rèn)

25、真真地 對(duì)待工作中的每一件"小事")遵守規(guī)定的習(xí)慣自覺(jué)維護(hù)工作環(huán)境整潔明了的良好習(xí)慣文明禮貌的習(xí)慣,3、具體表現(xiàn)：,降低物料報(bào)廢及倉(cāng)庫(kù)呆、廢料；減少不必要的體力工作。(零浪費(fèi))減少公傷及災(zāi)害。(零傷害)增加機(jī)器使用率。(零故障)提高生產(chǎn)品質(zhì)。(零不良)減少品質(zhì)不良。(零抱怨),4、推行5S運(yùn)動(dòng)的效益（1）,減少產(chǎn)品延遲交貨。(零延遲)擴(kuò)大廠房的效用。增加認(rèn)同感（較有制度）。外賓參觀時(shí)，覺(jué)得有面子。

26、走道暢通，地板不再亂放物品，感覺(jué)工作場(chǎng)所氣氛比較好。,推行5S運(yùn)動(dòng)的效益（2）,,四、硅片檢驗(yàn)知識(shí)基本簡(jiǎn)介,,,1、單晶硅片檢驗(yàn)基礎(chǔ)知識(shí)及不良影響,外觀類(lèi)定義：在光照度≥700Lux下，外觀全檢，外觀類(lèi)均目測(cè)。不得有碎片、缺角、裂紋、臟污、孔洞、未加工好、色差、孿晶等。如下圖示:,,外觀類(lèi),,圖片寫(xiě)真,不良名稱(chēng)：未加工好(Defect of slicing),,不良描述：線切割時(shí)造成的表面小崩邊和小缺口,,可能造成以下不良影響：絲

27、網(wǎng)印刷銀漿外流造短路小崩邊和缺角是造成后續(xù)硅片破碎的潛在因素影響電池片外觀和后續(xù)組件制造的外觀，也是組件制造過(guò)程中破碎的潛在因素 未加工好—不合格,不良名稱(chēng)：針孔（Hole),,不良描述：針頭大小的出現(xiàn)在硅片表面穿透或未穿透的小孔 。,可能造成以下不良影響：拉晶材料中混有微小雜質(zhì)，這些雜質(zhì)在拉晶過(guò)程中進(jìn)入晶體切片后，在制絨階段雜質(zhì)被腐蝕掉，出現(xiàn)針孔。清洗后發(fā)現(xiàn)針孔，存在絲網(wǎng)印刷時(shí)銀漿可能流出，一方面可能造成正負(fù)

28、極短路；另一方面可能造成銀漿流到電池存放臺(tái)，造成后續(xù)電池片污染 針孔——不合格,圖片寫(xiě)真,,不良名稱(chēng)：孿晶（crystal twin ）,,不良描述：指兩個(gè)晶體（或一個(gè)晶體的兩部分）沿一個(gè)公共晶面（即特定取向關(guān)系）構(gòu)成鏡面對(duì)稱(chēng)的位向關(guān)系,圖片寫(xiě)真,可能造成以下不良影響：孿晶交界的部位使得內(nèi)部晶體結(jié)構(gòu)上存在差異，后續(xù)制造過(guò)程中在電池片轉(zhuǎn)換效率上存在影響由于孿晶不可能做出與正常硅片一樣的轉(zhuǎn)換效率，所以孿晶的存在變相減少

29、了硅片的實(shí)際有效面積 孿晶——不合格,,不良名稱(chēng)：臟污（Dirty),,不良描述：硅片表面上肉眼可見(jiàn)的各種外來(lái)異物的統(tǒng)稱(chēng)。通常由操作或指紋引起的一種密集的局部污跡（脫膠不干凈或水紋印，手指?。?。,可能造成以下不良影響：表面臟污如果在清洗中難以去除將導(dǎo)致鍍膜后，外觀缺陷，根據(jù)臟污存在的大小，產(chǎn)生色斑片等外觀缺陷影響后續(xù)生產(chǎn)組件的外觀 臟污——不合格,圖片寫(xiě)真,,不良名稱(chēng)：色差（Co

30、lour aberration),,不良描述：同一硅片上，表面顏色存在明顯差異,圖片寫(xiě)真,可能造成以下不良影響：表面顏色不一，影響電池片的外觀；影響后續(xù)生產(chǎn)組件的外觀 色差——不合格,,不良名稱(chēng)：裂紋（Crack),,不良描述：延伸到晶片表面，可能貫穿整個(gè)晶片厚度的解理或裂痕；,圖片寫(xiě)真,可能造成以下不良影響：影響后續(xù)各崗位正常生產(chǎn)；對(duì)后續(xù)生產(chǎn)造成潛在破碎； 裂紋——不合

31、格,不良名稱(chēng)：缺口/缺角（Chipped Corner),,不良描述：硅片邊沿上缺掉一小塊所形成的空隙,也泛指不完整之處 。,可能造成以下不良影響：后續(xù)無(wú)法生產(chǎn) 缺角——不合格,圖片寫(xiě)真,不良名稱(chēng)：碎片(Broken wafer ),,不良描述：硅片形成殘缺，破碎較嚴(yán)重,可能造成以下不良影響：后續(xù)無(wú)法生產(chǎn) 碎片——不合格,圖片寫(xiě)真,不良名稱(chēng)：翹曲（Warp),,不良描述：

32、硅片邊緣部分翹起(可能由于硅棒本身內(nèi)應(yīng)力或位錯(cuò)引起),可能造成以下不良影響：硅片清洗甩干會(huì)因?yàn)閮?nèi)部應(yīng)力而造成碎片擴(kuò)散過(guò)程中由于高溫作用對(duì)硅片應(yīng)力產(chǎn)生影響，由于其原材料本身的原因，造成碎片PECVD鍍膜設(shè)備要求較高的彎曲度要求對(duì)于彎曲大于0.05MM的硅片會(huì)造成鍍膜不良，后續(xù)生產(chǎn)的鋁膜片，嚴(yán)重影響電池片的電性能絲網(wǎng)印刷時(shí)，柵成印刷不良出現(xiàn)，斷柵或者柵線不全絲網(wǎng)印刷刮板通過(guò)時(shí)可能造成因擠壓造成的碎片,圖片寫(xiě)真,測(cè)量時(shí)，放在水平測(cè)試

33、臺(tái)（花崗巖平臺(tái)）上，使用工具塞尺測(cè)量。如：圖3,標(biāo)準(zhǔn)范圍：合格:≤0.05mm， 無(wú)讓步， 不合格：≥0.05mm。,圖片寫(xiě)真,不良名稱(chēng)：彎曲(Bend ),,不良描述：硅片拿在手中輕晃有波動(dòng)的感覺(jué)，放在水平測(cè)試臺(tái)上不會(huì)動(dòng),可能造成以下不良影響： ——與翹曲的影響類(lèi)似標(biāo)準(zhǔn)范圍：合格：≤0.05mm； 讓步：≤0

34、.5mm； 不合格：≥0.5mm。 —— 測(cè)量方法與工具同翹曲,圖片寫(xiě)真,不良名稱(chēng)：線痕(Saw Mark ),,不良描述：線切割后，在硅片表面平行于邊且貫穿整個(gè)硅片表面，嚴(yán)重的形成臺(tái)階的或有顏色漸變的痕跡。,可能造成以下不良影響：清洗制絨時(shí)生產(chǎn)亮線，鍍膜無(wú)法掩蓋，影響電池片外觀制造過(guò)程中硅片的疊加，擠壓，會(huì)造成碎片絲網(wǎng)印刷過(guò)程中，由于厚薄差異，易造成碎片,,標(biāo)準(zhǔn)范圍：合格：

35、≤15um； 讓步：≤30 （180um厚度 及以下無(wú)讓步） 不合格：≥30um。備注：檢驗(yàn)中，若同一位置都有線痕必須相加其測(cè)試值。,測(cè)量時(shí)，在水平測(cè)試臺(tái)上，使用面粗糙度計(jì)測(cè)量。,不良名稱(chēng)：臺(tái)階(Step patch ),,不良描述：某片硅片從側(cè)面看成階梯段，測(cè)量時(shí)發(fā)現(xiàn)厚度差異較大,可能造成以下不良影響：

36、 ——與線痕的不良影響類(lèi)似標(biāo)準(zhǔn)范圍：合格： ≤15um； 無(wú)讓步 不合格：＞15um,不良名稱(chēng)：崩邊(Edge defect ),,不良描述：晶體邊緣或表面未貫穿晶片的局部缺損區(qū)域，當(dāng)崩邊在晶片邊緣產(chǎn)生時(shí)，其尺寸由向濃度或周邊弦長(zhǎng)給出。,可能造成以下不良影響：由于已經(jīng)存在缺口，在裂碎部位存在的延伸和應(yīng)力點(diǎn)，在后續(xù)生產(chǎn)會(huì)產(chǎn)生較多碎片由于崩邊位置不一致

37、，大小上存在差異，后繼定位各工序均無(wú)法正常展開(kāi)由于崩邊可造成電池片實(shí)際可利用面積減小，從而影響電池轉(zhuǎn)換效率,圖片寫(xiě)真,標(biāo)準(zhǔn)范圍：合格：長(zhǎng)≤0.5；深≤0.3; 每片片子崩邊數(shù)≤２個(gè)讓步：長(zhǎng)不限；深≤0.5；每片片子崩邊數(shù)≤２個(gè)不合格：深＞0.5;每片片子崩邊數(shù)＞2個(gè)備注：檢驗(yàn)時(shí)，發(fā)現(xiàn)崩邊要注意，是否存在因小崩邊引起的隱裂存在。,不良名稱(chēng)：硅晶脫落(Silicon crystal fall off ),,不良描述：未發(fā)生在

38、硅片邊緣處棱邊上的崩邊，即崩點(diǎn)，稱(chēng)為硅晶脫落,可能造成以下不良影響：生產(chǎn)碎片的潛在因素影響電池片和組件的生產(chǎn)外觀標(biāo)準(zhǔn)范圍：合格：無(wú)硅晶脫落讓步：面積≤1×1，每片片子個(gè)數(shù)≤2個(gè)且未穿透；不合格：面積＞1×1，每片片子個(gè)數(shù)＞2個(gè)；穿透,圖片寫(xiě)真,,邊長(zhǎng)、對(duì)角線：使用游標(biāo)卡尺測(cè)量。標(biāo)準(zhǔn)范圍：合格:標(biāo)稱(chēng)尺寸±0.5mm,讓步：標(biāo)稱(chēng)尺寸±0.6mm不合格：＞標(biāo)稱(chēng)尺寸＋0.6

39、mm，＜標(biāo)稱(chēng)尺寸－0.6mm,圖片寫(xiě)真,尺寸類(lèi),不良名稱(chēng)：邊長(zhǎng)偏大/偏小,,不良描述：硅片邊長(zhǎng)尺寸出現(xiàn)偏差，經(jīng)測(cè)量后數(shù)值超出檢驗(yàn)要求的范圍,可能造成以下不良影響：由于尺寸偏差超出標(biāo)準(zhǔn)范圍，將后續(xù)生產(chǎn)無(wú)法正常進(jìn)行絲網(wǎng)印刷時(shí)銀漿可能流出，一方面可能造成正負(fù)極短路，另一方面可能造成后續(xù)電池片污染如果混入正常尺寸硅片中生產(chǎn)，會(huì)導(dǎo)致刻蝕異常，印刷不良,圖片寫(xiě)真,厚度（TV/TTV）：（Thinkness) a、TV定義：指一片硅片中

40、心點(diǎn)的值。標(biāo)準(zhǔn)范圍： 合格： TV（來(lái)料厚度≥200um）標(biāo)稱(chēng)厚度±20 TV（來(lái)料厚度≤200um）標(biāo)稱(chēng)厚度±15 讓步： TV（來(lái)料厚度≥200um）標(biāo)稱(chēng)厚度±30 TV（來(lái)料厚度≤200um）標(biāo)稱(chēng)厚度±20不合格： TV（來(lái)料厚度≥200um）　　　　　　　　　　　＞標(biāo)稱(chēng)厚度＋30，＜標(biāo)稱(chēng)厚度

41、－30 TV（來(lái)料厚度≤200um）　　　　　　　　　　?。緲?biāo)稱(chēng)厚度＋20，＜標(biāo)稱(chēng)厚度－20,,圖片寫(xiě)真,標(biāo)準(zhǔn)范圍： 合格：TTV（來(lái)料厚度≥200um） ≤15%X硅片標(biāo)稱(chēng)厚度 TTV（來(lái)料厚度≤200um） ≤20%X硅片標(biāo)稱(chēng)厚度 讓步：TTV（來(lái)料厚度≥200um） ≤25um

42、 TTV（來(lái)料厚度≤200um） ≤30um 不合格： TTV（來(lái)料厚度≥200um） ＞20%X硅片標(biāo)稱(chēng)厚度 TTV（來(lái)料厚度≤200um） ＞ 30um,ｂ、,可能造成以下不良影響：由于各種問(wèn)題導(dǎo)致，硅棒在線切時(shí)因線網(wǎng)抖動(dòng)而產(chǎn)生的硅片不良后續(xù)生產(chǎn)造成破碎的潛在因素備注：硅片的TTV/TV可使用ATM機(jī)器進(jìn)行測(cè)量。外徑千分尺

43、只能對(duì)某片硅片的四個(gè)角的TTV 進(jìn)行測(cè)量。,不良名稱(chēng)：TTV不良,不良描述：指一片硅片上最大值與最小值的差值。,圖片寫(xiě)真,不良名稱(chēng)：倒角偏差（Corner chamfer),,不良描述：硅片倒角有規(guī)則的同時(shí)凹進(jìn)或凸出，以凹進(jìn)最大值計(jì)算,可能造成以下不良影響：往往因?yàn)闈L圓時(shí)或切片時(shí)，硅棒定位不準(zhǔn)確造成絲網(wǎng)印刷時(shí)銀漿可能流出，一方面可能造成正負(fù)極短路，另一方面可能造成后續(xù)電池片污染硅片無(wú)法放入PECVD石墨舟影響電池片外觀和后續(xù)

44、組件制造的外觀如果混入正常尺寸硅片中生產(chǎn)，會(huì)導(dǎo)致刻蝕異常，印刷不良,圖片寫(xiě)真,標(biāo)準(zhǔn)范圍： 合格：≤0.5mm， 讓步： ≤0.75mm， 不合格：≥0.75mm,測(cè)量時(shí)，使用工具同心度模板測(cè)量。,不良名稱(chēng)：外形片,,不良描述：硅片倒角不規(guī)則的凹進(jìn)或凸出,可能造成以下不良影響：往往因?yàn)闈L圓時(shí)或切片時(shí)，硅棒定位不準(zhǔn)確造成絲網(wǎng)

45、印刷時(shí)銀漿可能流出，一方面可能造成正負(fù)極短路，另一方面可能造成后續(xù)電池片污染硅片無(wú)法放入PECVD石墨舟影響電池片外觀和后續(xù)組件制造的外觀如果混入正常尺寸硅片中生產(chǎn)，會(huì)導(dǎo)致刻蝕異常，印刷不良（任一條邊以測(cè)量最大值計(jì)算）內(nèi)縮和外突,圖片寫(xiě)真,,圖片寫(xiě)真,,標(biāo)準(zhǔn)范圍： 合格：≤0.5mm， 讓步：≤0.75mm， 不合格：≥0.

46、75mm,測(cè)量時(shí)，使用工具同心度模板測(cè)量。,不良名稱(chēng)：梯形片,不良描述：指硅片一組對(duì)邊平行而另一組對(duì)邊不平行,可能造成以下不良影響： ——與倒角偏差的不良影響類(lèi)似標(biāo)準(zhǔn)范圍： 合格：≤0.5mm， 讓步： ≤0.6mm, 不合格：＞0.6mm。,圖片寫(xiě)真,,,不良名稱(chēng)：菱形片,不良描述：指硅片一個(gè)平面內(nèi)，一組鄰邊相等的

47、平行四邊形,可能造成以下不良影響： ——與倒角偏差的不良影響類(lèi)似標(biāo)準(zhǔn)范圍： 合格：≤0.5mm， 讓步： ≤0.6mm, 不合格：＞0.6mm。,圖片寫(xiě)真,,圖片寫(xiě)真,倒片時(shí)，發(fā)現(xiàn)側(cè)邊傾斜,,,電阻率：用來(lái)表示各種物質(zhì)電阻特性的物理量。電阻率 ρ 單位為歐姆·厘米 （ohm*cm ）,圖片寫(xiě)真,電性能類(lèi),不

48、良名稱(chēng)：電阻率不良（Resisivity Defect),不良描述：指硅片一個(gè)平面內(nèi)，一組鄰邊相等的平行四邊形,可能造成以下不良影響： ——對(duì)后續(xù)電池片生產(chǎn)的轉(zhuǎn)換效率存在嚴(yán)重影響標(biāo)準(zhǔn)范圍：合格：0.5-3，3-6 讓步：0.2-0.5，6-8 不合格：＞8，＜0.2,圖片寫(xiě)真,P/N型：目前我們執(zhí)行的是P型，N型為不合格；測(cè)量?jī)x器ATM機(jī)

49、。少子壽命：對(duì)p型半導(dǎo)體材料則相反，產(chǎn)生非平衡載流子的外界作用撤除以后，它們逐漸衰減以致消失，最后載流子濃度恢復(fù)到平衡少數(shù)載流子的壽命。（Minority carrier lifetime low)。標(biāo)準(zhǔn)范圍：裸片合格≥1us（微 秒），鈍化后合格≥10us；測(cè)量?jī)x器ATM機(jī)器,,2、多晶硅片檢驗(yàn)基礎(chǔ)知識(shí)及不良影響,不良名稱(chēng)：微晶（Micro crystall),不良描述：指每顆晶粒只由幾千個(gè)或幾萬(wàn)個(gè)晶胞并置而成的晶體，從一個(gè)晶軸的

50、方向來(lái)說(shuō)這種晶體只重復(fù)了約幾十個(gè)周期,可能造成以下不良影響：由于微晶不可能做出與正常硅片一樣的轉(zhuǎn)換效率，所以微晶存在是變相的減少硅片實(shí)際有效面積由于微晶的存在，使硅片內(nèi)部生產(chǎn)缺陷，對(duì)于后續(xù)電池片保證其長(zhǎng)時(shí)間使用存在影響 標(biāo)準(zhǔn)范圍：合格：無(wú)微晶 讓步：1cm長(zhǎng)度上晶?！?個(gè) 不合格：1㎝長(zhǎng)度晶粒＞5個(gè),圖片寫(xiě)真,不良名稱(chēng)：分布晶（Distrbuting-cr

51、ystall),不良描述：大晶粒分布的具有特定“圈點(diǎn)”特征的小晶粒，亦稱(chēng)”分散型微晶”。,可能造成以下不良影響： ——與微晶的不良影響類(lèi)似 分布晶——不合格,分布晶,圖片寫(xiě)真,不良名稱(chēng)：雪花晶（Snow-crystall),不良描述：大晶粒分布的具有特定“圈點(diǎn)”特征的小晶粒，亦稱(chēng)”分散型微晶”。,可能造成以下不良影響： ——與微晶的不良影響

52、類(lèi)似 標(biāo)準(zhǔn)范圍：合格：無(wú)雪花晶 讓步：2cm2晶?！?0個(gè) 不合格：面積2cm2＞50個(gè),分布晶,圖片寫(xiě)真,,3、硅片檢驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)一覽表,,備注:合格要求對(duì)應(yīng)正品片,讓步要求對(duì)應(yīng)等外品片(包括外加工片)*僅使用于多晶片,**僅使用于單晶片,***硅片TTV的最大和最小要在TV的允許范圍之內(nèi).外加工正品片合格率＜80%,作為批退處理.

53、等外品片,一盒有多種缺陷類(lèi)型混裝,作為不良品處理。,附表1：硅片試檢抽樣,附表2：硅片試投標(biāo)準(zhǔn),一、試投數(shù)量每批不管來(lái)料數(shù)量多少，均試投3000片，分別在每箱內(nèi)取一盒達(dá)到試投數(shù)量二、IQC合格率 正品片：≥94% 等外品：≥80%三、直通率 單晶：≥88% 多晶：≥90%四、碎片率 125S Ø150 ：1.5% 1

54、56S： 3% 125S Ø165： 1.5% 156M：3% 五、平均效率 125S Ø150 ：17.30% 156S：17.20% 125S Ø165：17.50% 156M：15.90% 六、光衰減比率 單晶：-3.00% 多晶：-2.

55、00%,游標(biāo)卡尺外徑千分尺塞尺同心度模板四探針花崗巖平臺(tái)面粗糙度計(jì),五、各類(lèi)檢測(cè)工具的簡(jiǎn)介,游標(biāo)卡尺,圖片,使用方法及用途 游標(biāo)卡尺，使用前應(yīng)校準(zhǔn)歸零。用軟布將量爪擦干凈，使前并攏，查看游標(biāo)和主尺身的零刻度線是否對(duì)齊。如果對(duì)齊就可以進(jìn)行測(cè)量：如沒(méi)有對(duì)齊則要記取零誤差；游標(biāo)的零刻度線在尺身零刻度線右側(cè)的叫正零誤差，在尺身零刻度線左側(cè)的叫負(fù)零誤差（這種規(guī)定方法與數(shù)軸的規(guī)定一致，原點(diǎn)以右為正，原點(diǎn)以左為負(fù)）。

56、 讀數(shù)結(jié)果為： L＝整數(shù)部分＋小數(shù)部分－零誤差 （零誤差為負(fù)，相當(dāng)于加上相同大小的零誤差 ） 用途：測(cè)量硅片的邊長(zhǎng)、對(duì)角線的測(cè)試值。,注意事項(xiàng)1．游標(biāo)卡尺是比較精密的測(cè)量工具，要輕拿輕放，不得碰撞或跌落地下。使用時(shí)不要用來(lái)測(cè)量粗糙的物體，以免損壞量爪，不用時(shí)應(yīng)置于干燥地方防止銹蝕。 2．測(cè)量時(shí)，應(yīng)先擰松緊固螺釘，移動(dòng)游標(biāo)不能用力過(guò)猛。兩量爪與待測(cè)物的接觸不宜過(guò)緊。不能使被夾緊的物體在量爪內(nèi)挪動(dòng)。 3．讀

57、數(shù)時(shí)，視線應(yīng)與尺面垂直。如需固定讀數(shù)，可用緊固螺釘將游標(biāo)固定在尺身上，防止滑動(dòng)。 4．實(shí)際測(cè)量時(shí)，對(duì)同一長(zhǎng)度應(yīng)多測(cè)幾次，取其平均值來(lái)消除偶然。,外徑千分尺,圖片,使用方法及用途 使用千分尺時(shí)先要檢查其零位是否校準(zhǔn)。功能鍵 *.mm ABS/INC鍵、ON/OFF SET鍵的使用： mm ABS/INC鍵：測(cè)量制式鍵和絕對(duì)測(cè)量與相對(duì)測(cè)量轉(zhuǎn)換鍵。1）每次按住此鍵2秒以上，使出現(xiàn)“mm”字樣時(shí)，方可進(jìn)行正確的測(cè)量；2）

58、點(diǎn)按此鍵，實(shí)現(xiàn)絕對(duì)測(cè)量與相對(duì)測(cè)量轉(zhuǎn)換； ON/OFF SET鍵：開(kāi)關(guān)鍵和設(shè)定初始值鍵。1）點(diǎn)按此鍵開(kāi)關(guān)機(jī)；2）當(dāng)按住此鍵2秒以上 顯示初始值，此值對(duì)應(yīng)校對(duì)量桿的值，應(yīng)為0或25或50或75；3）如果初始值不正確，應(yīng)重新設(shè)置。按住此鍵不放，使“SET”提示符和數(shù)字閃爍，尋找要更改的數(shù)字位置，立即松開(kāi)按鍵，點(diǎn)按此鍵，將數(shù)值預(yù)置到期望值，直至最后一位數(shù)字設(shè)置完成，此時(shí)再重新按住此鍵2秒，當(dāng)“SET”閃爍時(shí)，立即松開(kāi)，然后再點(diǎn)按此鍵一次，使“S

59、ET”消失，即完成設(shè)置。(聽(tīng)到三聲停止轉(zhuǎn)動(dòng)螺桿)用途：硅片檢驗(yàn)時(shí)測(cè)量片子的厚度值（四個(gè)角）。,注意事項(xiàng) 1）使用前需校對(duì)起始值是否正確，如不正確則會(huì)影響測(cè)量結(jié)果。 2）微分筒不得旋出固定套管，以防內(nèi)部部件卡住。 3）在千分尺的任何部位不能施加電壓，也不要用電筆刻字，以免損壞電子元件。 4）長(zhǎng)期不用時(shí)應(yīng)取出電池。,塞 尺,圖片,使用方法及用途 塞尺又稱(chēng)測(cè)微片或厚薄規(guī)。 使用前必須先清除塞尺和工件

60、上的污垢與灰塵。使用時(shí)可用一片或數(shù)片重疊插入間隙，以稍感拖滯為宜。測(cè)量時(shí)動(dòng)作要輕，不允許硬插。 用途：測(cè)量彎曲片、翹曲片的測(cè)試值是否在標(biāo)準(zhǔn)范圍。,同心度模板,圖片,使用方法根據(jù)硅片的規(guī)格，取用相應(yīng)的模板型號(hào)。模板的區(qū)域?qū)R硅片的任意兩邊的邊緣。對(duì)齊測(cè)量，刻度值每小格為0.5mm，兩小格為一大格，值1cm。讀出測(cè)量值，根據(jù)不良類(lèi)型判定結(jié)果。規(guī)格：125S Ø150

61、125S Ø165 156S Ø200 156E Ø219,四探針,圖片,使用方法及用途將電源打開(kāi)（ON/OFF）；將電流調(diào)到“1”檔；將按鈕按到“e”；,將一片硅片放到測(cè)試臺(tái)上，按下降鍵；根據(jù)硅片的厚度，將電流調(diào)成相應(yīng)的參數(shù)（見(jiàn)附表１），如厚度為200um,電流參數(shù)就為“0906”，調(diào)節(jié)參數(shù)（粗調(diào)

62、與微調(diào)）；,將按鈕按到R口/e;測(cè)試時(shí)只要將硅片放在測(cè)試臺(tái)上，注：硅片中心點(diǎn)對(duì)準(zhǔn)探針，按下降鍵，電阻率測(cè)試值就是顯示，測(cè)試完后按上升鍵，取出硅片。 用途：測(cè)量硅片的電阻率,,附表3,花崗巖平臺(tái),圖片,面粗糙計(jì),圖片,b) SJ-210面粗糙度計(jì)作業(yè)指導(dǎo)書(shū),c) 測(cè)試注意事項(xiàng)：1、測(cè)試前注間探頭的探針垂直與被測(cè)試片不能傾斜（放在水平測(cè)試臺(tái)上測(cè)試）2、盡量將探頭放在被測(cè)試硅片的中間位置，不要放在被

63、測(cè)試硅片邊緣，以免在測(cè)試時(shí)，探頭收縮到被測(cè)試硅片外面而影響測(cè)試準(zhǔn)確度3、在測(cè)試過(guò)程中不要觸動(dòng)測(cè)試主機(jī)和探頭，以免影響測(cè)試值4、當(dāng)測(cè)試值顯示的時(shí)侯，探頭還在移動(dòng)過(guò)程中，反以不要觸碰主機(jī)，以免損傷探頭,,手檢流程與內(nèi)容：1、外觀類(lèi)檢測(cè)（目測(cè)）：交叉倒片；每片拉一次；雙面檢驗(yàn)。備注：檢驗(yàn)時(shí)，應(yīng)帶上乳膠手套，嚴(yán)禁用手直接拿硅片，由于硅片容易碎，應(yīng)在皮墊上進(jìn)行檢驗(yàn)。,六、手檢硅片流程及內(nèi)容,2、尺寸類(lèi)檢驗(yàn)邊長(zhǎng)：測(cè)量硅片時(shí)應(yīng)

64、使用游標(biāo)卡尺，每片測(cè)量4次，并記錄最大值與最小值。對(duì)角線：使用游標(biāo)卡尺測(cè)量2次。厚度（TV/TTV）：（機(jī)檢）把需測(cè)的硅片放入ATM機(jī)中會(huì)自動(dòng)挑出不良品；（手檢）外徑千分尺。備注：游標(biāo)卡尺每次使用前，需對(duì)齊卡爪清零檔歸零，防止誤差。,,3、電性能類(lèi)測(cè)量電阻率：ATM機(jī)測(cè)量、四探針測(cè)量總結(jié)：1、手檢時(shí)，應(yīng)注意將檢驗(yàn)出的不良品 挑出，放入相應(yīng)的不良品盒中，寫(xiě)上少 片的數(shù)量，每盒

65、檢驗(yàn)完后要核對(duì)自己的 檢驗(yàn)數(shù)量。 檢驗(yàn)合格數(shù)+不良品數(shù)量=原裝數(shù) 2、一批結(jié)束后應(yīng)收集不良品，清點(diǎn)數(shù)量。 檢驗(yàn)合格數(shù)+不良品數(shù)=檢驗(yàn)總數(shù),,,注意事項(xiàng)：送檢時(shí)，確認(rèn)送檢單上的信息與實(shí)物是否相符（規(guī)格、數(shù)量）；區(qū)分正品片與等外片：正品片根據(jù)合格標(biāo)準(zhǔn)檢驗(yàn)；等外片根據(jù)讓步標(biāo)準(zhǔn)檢驗(yàn)；來(lái)料若有短缺、碎片、缺角、裂紋等現(xiàn)象進(jìn)行拍照（箱號(hào)、晶體編號(hào)、實(shí)

66、物）；外加工正品片檢驗(yàn)要求合格率達(dá)到80%；,,,區(qū)分合格與不合格硅片并貼上標(biāo)簽，自購(gòu)正品片貼合格標(biāo)簽，等外品片貼等外品標(biāo)簽，如是（線痕標(biāo)簽上的原因就寫(xiě)線痕）不良品就貼不合格標(biāo)簽；一批檢驗(yàn)結(jié)束后，拍數(shù)并編寫(xiě)硅片檢驗(yàn)匯總等相關(guān)表格；填寫(xiě)送檢單；填寫(xiě)不良品退換貨單；,,,,,七、機(jī)檢流程及內(nèi)容,,ATM機(jī)器基礎(chǔ)知識(shí)機(jī)檢流程與內(nèi)容機(jī)檢型號(hào)轉(zhuǎn)換與注意事項(xiàng)機(jī)檢緊急情況與處理方法ATM日常保養(yǎng),ATM機(jī)器基礎(chǔ)知識(shí),ATM檢測(cè)機(jī)器簡(jiǎn)介

67、ATM檢測(cè)機(jī)器校準(zhǔn)操作步驟及流程,ATM測(cè)試機(jī)器簡(jiǎn)介,六大模塊介紹1號(hào)模塊：微裂、孔洞2號(hào)模塊：少子壽命3號(hào)與7號(hào)模塊：外觀（崩邊、硅晶脫落）4號(hào)模塊：電阻率（P/N型）5號(hào)模塊：TTV（線痕、彎曲）6號(hào)模塊：主界面正常測(cè)試時(shí)：下料1、2號(hào)盒是電阻率0.5-3（合格）， 下料3號(hào)盒是電阻率3-6（合格）， 下料5號(hào)盒是裂紋、針孔， 下料6號(hào)盒是TTV

68、不良， 下料7號(hào)盒是其他不良， 下料4、8號(hào)盒是測(cè)試錯(cuò)誤（重測(cè)）。,ATM測(cè)試機(jī)器校準(zhǔn),少子壽命校準(zhǔn),步驟：進(jìn)入2號(hào)模塊：點(diǎn)擊Stop進(jìn)入Recorder → 放入正常硅片→點(diǎn)擊Autosetting測(cè)試測(cè)試完畢后取回硅片，點(diǎn)擊 Star正常測(cè)試注：少子壽命每班需校準(zhǔn)一次。,ATM測(cè)試機(jī)器校準(zhǔn),電阻率及厚度校準(zhǔn)1) 進(jìn)入4號(hào)模塊，點(diǎn)擊Stop,2)點(diǎn)擊Calibrate T

69、hickness（校準(zhǔn)厚度），在隨后彈出的界面中輸入標(biāo)片的厚度數(shù)值，點(diǎn)擊“OK”，并查看校準(zhǔn)厚度值是否在此范圍內(nèi)，若在此范圍內(nèi)需記錄其校準(zhǔn)值，若不在此范圍內(nèi)需重新校準(zhǔn),,3)電阻率校準(zhǔn)：取出標(biāo)片→ 再將標(biāo)片置于電阻率探頭下→ 點(diǎn)擊Compensate Resistivity(補(bǔ)償電阻）點(diǎn)擊NEW,4)點(diǎn)擊Calibrate Resistivity(校準(zhǔn)電阻）輸入電阻率標(biāo)準(zhǔn)值→點(diǎn)擊OK并查看電阻率值是否在此范圍內(nèi)，若在此范圍內(nèi)需記錄其