華誠薄膜電路設(shè)計準(zhǔn)則

1、華誠薄膜電路設(shè)計準(zhǔn)則華誠薄膜電路設(shè)計準(zhǔn)則1.0目的目的1.1本文件定義了薄膜電路的設(shè)計準(zhǔn)則并適用于華誠制造的所有薄膜電路。1.2本文件有三部分：1.基本設(shè)計原則。2.光刻板的設(shè)計要求。3.電阻設(shè)計原則。2.0基本設(shè)計原則基本設(shè)計原則2.1基板材料、厚度、表面光潔度必須確定。2.2基板表面金屬必須定義，包括基板兩面的金屬類型、厚度和公差。我們通?；逭鍭u的厚度為3.4~4.0m(135~160microinches)；我們通?；灞趁?/p>

2、Au的厚度為1m(40microinches)。2.3我們的標(biāo)準(zhǔn)工藝要求電路外形必需為正方形或長方形。2.4所有電路的特征形狀需由直線、圓弧、或它們的組合構(gòu)成；不規(guī)則曲線不允許。2.5刻蝕法：最小導(dǎo)線的線寬為10m(約0.0004“)，此適用于Au的厚度≤4m(約160microinches)。電鍍法：最小導(dǎo)線的線寬為20m(約0.0004“)，此適用于Au的厚度≤4m(約160microinches).2.6刻蝕法：導(dǎo)線的間隙最小為2

3、0m(約0.0008“)此適用于Au的厚度≤4m(約160microinches)15m(約0.0006”)的間隙也可達(dá)到。電鍍法：導(dǎo)線的間隙最小可做到10m(約0.0004“)，此適用于Au的厚度≤4m(約160microinches)。2.7關(guān)鍵部位尺寸公差為2.5m(0.0001“)此適用于Au的厚度≤4m(約160microinches)；非關(guān)鍵部位尺寸公差為7.6m(0.0003“)。2.8Au的厚度標(biāo)準(zhǔn)公差為20％。2.9電

4、阻的長度、寬度最小值為50.8m(0.002“)。2.10TaN電阻有穩(wěn)定的薄膜電阻值為50ohmssquare如果需要其它阻值可定制。電阻的標(biāo)準(zhǔn)公差為10％。2.11含有薄膜電阻的電路必需設(shè)計一個獨(dú)立的50ohms測試電阻，這對于無測試電阻的電路設(shè)計是尤為重要。2.12導(dǎo)線和電阻距電路邊沿最小距離為50m(約0.002“)。（見圖1）電阻距電路邊沿最小距離為50μm(0.002“)導(dǎo)線距電路邊沿最小距離為50μm(0.002“)識別標(biāo)

5、示圖12.13所有電路在導(dǎo)線層應(yīng)有識別標(biāo)示。（見圖1）2.14切割標(biāo)記位于導(dǎo)線層，推薦標(biāo)記尺寸為0.1mmx0.5mm(0.004”x0.02”)十字架（見圖2）所示。2.15一個位于電阻層的0.1mmx0.1mm(0.004”x0.004”)方塊將用來層對層的對準(zhǔn)和校準(zhǔn)，如圖2所示。板金厚度，電阻長度必須在光刻板做2.5m(0.0001“)的調(diào)整，并較電阻的實(shí)際設(shè)計長度短《比如：基板金的厚度4m(160microinches)，則需做

6、電阻長度有10m(0.0004“)的縮短調(diào)整》。電阻寬于導(dǎo)線50~127μm每1μm基板金厚電阻長度縮短2.5μm電阻光刻板電阻區(qū)被視為實(shí)體區(qū)成品電路電阻光刻板與導(dǎo)線區(qū)重疊最少50μm凹形縮進(jìn)最小25μm(每邊)導(dǎo)線光刻板電阻區(qū)被視為是空白區(qū)凹形電阻工藝過程電阻光刻板成品電路平齊形電阻工藝過程圖3圖43.5電路排布圖3.5.1光刻板的排列布置依據(jù)電路的尺寸和定制數(shù)量，排列布置確定基片尺寸、利用率及最后電路的造價。如果用戶自己排列布置光刻

7、板，請聯(lián)系我們以確定最佳方式。標(biāo)準(zhǔn)的排列尺寸是2.0″2.0″(50.8mm50.8mm)2.25″2.25″(57.2mm57.2mm)和3.0″3.0″(76.2mm76.2mm)。3.5.2排列布置的邊界與基片的邊沿尺寸通常為1.27mm(0.050“)。3.5.3標(biāo)準(zhǔn)的切割槽（切割槽寬度）尺寸為180m(0.007“)。其它尺寸請聯(lián)系我們。3.5.4排列布置的步距等于切割槽寬度加上電路尺寸，切割標(biāo)記需要位于十字交匯中心（見2.1