stm32學(xué)習(xí)筆記(18)-數(shù)據(jù)的保存和毀滅

1、數(shù)據(jù)的保存和毀滅（2）和以前學(xué)到的有關(guān)數(shù)據(jù)保存不同，這里的數(shù)據(jù)保存還有“保密”之意，即一旦受到意外的侵入，STM32將毀滅數(shù)據(jù)。這是通過(guò)Tamper機(jī)制來(lái)實(shí)現(xiàn)的。以下是數(shù)據(jù)手冊(cè)中的有關(guān)說(shuō)明：5.3.1侵入檢測(cè)當(dāng)TAMPER引腳上的信號(hào)從0變成1或者從1變成0(取決于備份控制寄存器BKP_CR的TPAL位)，會(huì)產(chǎn)生一個(gè)侵入檢測(cè)事件。侵入檢測(cè)事件將所有數(shù)據(jù)備份寄存器內(nèi)容清除。然而為了避免丟失侵入事件，侵入檢測(cè)信號(hào)是邊沿檢測(cè)的信號(hào)與侵入檢測(cè)允

2、許位的邏輯與，從而在侵入檢測(cè)引腳被允許前發(fā)生的侵入事件也可以被檢測(cè)到?！癞?dāng)TPAL=0時(shí)：如果在啟動(dòng)侵入檢測(cè)TAMPER引腳前(通過(guò)設(shè)置TPE位)該引腳已經(jīng)為高電平，一旦啟動(dòng)侵入檢測(cè)功能，則會(huì)產(chǎn)生一個(gè)額外的侵入事件(盡管在TPE位置’1’后并沒(méi)有出現(xiàn)上升沿)?！癞?dāng)TPAL=1時(shí)：如果在啟動(dòng)侵入檢測(cè)引腳TAMPER前(通過(guò)設(shè)置TPE位)該引腳已經(jīng)為低電平，一旦啟動(dòng)侵入檢測(cè)功能，則會(huì)產(chǎn)生一個(gè)額外的侵入事件(盡管在TPE位置’1’后并沒(méi)有出現(xiàn)

3、下降沿)。設(shè)置BKP_CSR寄存器的TPIE位為’1’，當(dāng)檢測(cè)到侵入事件時(shí)就會(huì)產(chǎn)生一個(gè)中斷。在一個(gè)侵入事件被檢測(cè)到并被清除后，侵入檢測(cè)引腳TAMPER應(yīng)該被禁止。然后，在再次寫(xiě)入備份數(shù)據(jù)寄存器前重新用TPE位啟動(dòng)侵入檢測(cè)功能。這樣，可以阻止軟件在侵入檢測(cè)引腳上仍然有侵入事件時(shí)對(duì)備份數(shù)據(jù)寄存器進(jìn)行寫(xiě)操作。這相當(dāng)于對(duì)侵入引腳TAMPER進(jìn)行電平檢測(cè)。注：當(dāng)VDD電源斷開(kāi)時(shí)，侵入檢測(cè)功能仍然有效。為了避免不必要的復(fù)位數(shù)據(jù)備份寄存器，TAMPE

4、R引腳應(yīng)該在片外連接到正確的電平。顯然，Tamper需要硬件與之配合。以上數(shù)據(jù)手冊(cè)描述了硬件配置時(shí)的一些注意事項(xiàng)。（1）可以是把引腳由低電平到高電平認(rèn)為是一次侵入，也可以把引腳從高電平變到低電平認(rèn)為是一次侵入，這通過(guò)TPAL來(lái)設(shè)置。BKP_ClearFlag()清除Tamper事件TamperpinactiveonlowlevelBKP_TamperPinLevelConfig(BKP_TamperPinLevel_Low)配置Tamp

5、er引腳究竟是高電平有效還是低電平有效，這個(gè)再研究一下，繼續(xù)跟蹤：@briefConfigurestheTamperPinactivelevel.@paramBKP_TamperPinLevel:specifiestheTamperPinactivelevel.Thisparametercanbeoneofthefollowingvalues:@argBKP_TamperPinLevel_High:Tamperpinactiveonhi

6、ghlevel@argBKP_TamperPinLevel_Low:Tamperpinactiveonlowlevel@retvalNonevoidBKP_TamperPinLevelConfig(uint16_tBKP_TamperPinLevel)Checktheparametersassert_param(IS_BKP_TAMPER_PIN_LEVEL(BKP_TamperPinLevel))(__IOuint32_t)CR_TP