光電技術第1章習題

1、1《光電技術光電技術》習題第一章第一章第一部分第一部分:1已知表示光電導體的靈敏度的G（光電增益），式中β為量子產額；為光生載流子Lt????壽命；為載流子在光電導兩極間的渡越時間，如果在光電導體中自由電子與空穴均參與導電，Lt請推導：。2()nnppGUl???????式中和分別為自由電子和空穴的壽命；和分別為自由電子和空穴的遷移率。（P6）n?p?n?p?2簡答P型與N型半導體雜質能級區(qū)別。（P34）3比較直線性光電導與拋物線性光電

2、導的主要特性。（P78）4舉一簡例說明研究光電導的光譜分布有何實際應用。（P910）5簡述光生伏特效應與熱釋電效應的原因及其應用。（P1011）6觀察圖1.1.34，指出本征光電導與雜質光電導的長波限位置。（P910）7輻射度量和光度量的根本區(qū)別是什么？輻射度量與光度量是光輻射的兩種不同度量方法。根本區(qū)別在于：前者是物理（或客觀）的計量方法，稱為輻射度量學計量方法或輻射度參數，它適用于整個電磁輻射譜區(qū)，對輻射量進行物理的計量；后者是生理

3、（或主觀）的計量方法，是以人眼所能看見的光對大腦的刺激程度來對光進行計算，稱為光度參數。光廣度參數只適用于0.38~0.78μm的可見光譜區(qū)域，是對光強度的主觀評價，超過這個譜區(qū)，光度參數沒有任何意義。8設在半徑為的圓盤中心法線上，距圓盤中心為l0處有一個輻射強度為Ie的點源S，如圖所示。cR試計算該點源發(fā)射到圓盤的輻射功率。（P14或PPT）9某半導體光電器件的長波限為13μm，求其雜志電離能ΔE。eVE095.01324.124.1

4、?????10已知本征硅材料的禁帶寬度，試求該半導體材料的本征吸收長波限。eVEg2.1??mEC??03.12.124.124.1????11某光電發(fā)射材料的光電發(fā)射長波限為680nm，試求該光電發(fā)射材料的光電發(fā)射閾值（逸出功）。l0SRc第8題圖316實驗表明，克爾效應的兩束偏振光的折射率之差與電場E的平方成正比，而泡克耳效oenn?應的兩束偏振光的折射率之差與所加電場E成正比。oenn?17何為磁光效應？目前在磁光效應方面，主要是

5、哪兩種效應來獲得光偏振調制？“法拉第”旋光效應偏振光在磁場內偏振面旋轉的角度表達式如何？（P39）18光的頻率調制，主要是指光學多普勒頻移。19波長調制有哪幾種（至少舉三種）？下圖為利用熱色物質顏色變化的波長調制來檢測液體溫度的示意圖，說明其檢測原理。（P4143）20放大器的電壓放大系數通常是頻率的復函數，可以寫成，式中()()()juuuAAjAje??????，f是頻率，是角頻率，表示放大器的放大量與頻率的關系，稱為幅—頻2f??