低壓無功補償電容器投切方式比較分析

1、電容器投切方式比較分析電容器投切方式比較分析近年來，隨著對供電質量要求的不斷提高和節(jié)能降耗的需要，無功補償裝置的使用量快速增長。隨后各種不同無功補償裝置不斷研發(fā)推出應用，如：靜止無功補償裝置SVC、靜止無功發(fā)生器SVG、晶閘管投切電容裝置TSC等。但由于技術成熟悸或投入大等各種因素影響，目前使用范圍最廣，投入成本低，最易普及的仍是低壓無功補償裝置。本文僅對目前國內存在的幾種類型的低壓電容投切裝置的性能及優(yōu)缺點進行分析，供用戶和設計人員參

2、考，以達到合理使用、提高企業(yè)經濟效益、節(jié)約資源的效果。一、性能比較目前，國內的電容投切裝置所采用的開關元件可以分為四大類：1、機械式接觸器投切電容裝置（MSC）接觸器投入過程中，電容器的初始電壓為零，觸點閉合瞬間，絕大多數情況下電壓不為零、有時可能處在高峰值（極少為零），因而產生非常大的電流，也就是常說的合閘涌流。實驗表明合閘涌流嚴重時可達電容器額定電流的50倍。這不僅影響電容器和接觸器的壽命，而且對電網造成沖擊，影響其它設備的正常工作

3、。因此，后來采用串接電抗器和加入限流電阻來抑制涌流，這雖然可以控制合閘涌流在額定電流的20倍以內，但從長期運行情況來看，其故障率仍然非常高，維修費用較高。總的實踐應用反映，其性能如下：優(yōu)點：價格低，初期投入成本上升少，無漏電流缺點：涌流大，壽命短，故障多，維修費用高2、電子式無觸點可控硅投切電容器裝置（TSC）可控硅投切電容器，是利用了電子開關反應速度快的特點。采用過零觸發(fā)電路，檢測當施加到可控硅兩端電壓為零時，發(fā)出觸發(fā)信號，可控硅導通

4、。此時電容器的電壓與電網電壓相等，因此不會產生合閘涌流，解決了接觸器合閘涌流的問題。但是，可控硅在導通運行時，可控硅結間會產生一伏左右的壓降，通常15KVAR三角形接法的電容器，額定電流22A，則一個可控硅消耗功率約為22W。如以一個150KVAR電容柜來算，運行時可控硅投切裝置消耗的功率可達600W，而且都變成熱量，使機柜溫度升高。同時可控硅有漏電流存在，當未接電容時，即使可控硅未導通，其輸出端也是高電壓。優(yōu)點：無涌流，無觸點，使用壽

5、命長、維修少，投切速度快（5ms內）缺點：價格高（首期投入為接觸器的6倍左右）、發(fā)熱嚴重、耗能、有漏電流。3、復合開關投切電容裝置（TSCMSC）復合開關投切裝置工作原理是先由可控硅在電壓過零時投入電容器，然后再由磁保持繼電器觸點并聯(lián)閉合，可控硅退出，電容器在磁保持繼電器觸點閉合下運行。因而實現(xiàn)了投入無涌流運行不發(fā)熱的目的。但為了降低成本，通常選用兩只小功率，低耐壓可控硅串聯(lián)使用，利用可控硅20ms內電流可過載10倍額定電流的特性，過零

6、投入，再用繼電器閉合運行。而磁保持繼電器觸點偏小，且額定機械壽命一般為5萬次，從目前投入市場使用情況看，可控硅時有擊穿，磁保持繼電器也有卡住不動作現(xiàn)象，工作不夠穩(wěn)定。總的講，優(yōu)點：無涌流，不發(fā)熱，節(jié)能缺點：價格高為接觸器的5倍、壽命短、故障較多、有漏電流、投切速度0.5s左右4、無涌流電容投切器（TSCMSC）無涌流電容投切器是深圳友邦怡公司綜合以上各種投切裝置的優(yōu)點后所研制的一項專利技術產品。此電容投切器是無觸點開關在電壓過零時投入電

7、容器，然后轉接到專用接觸器下運行，不發(fā)熱。其特點是無觸點開關的額定電流與電容器額定電流相同，而壓為1600V。專用接觸器的機械壽命和電壽命為100萬次，因而保證了工作的可靠性和穩(wěn)定性。經現(xiàn)場使用近一年時間，證明其過載能力強、節(jié)能效果明顯。優(yōu)點：無涌流，不發(fā)熱，節(jié)能、安全、壽命長。缺點：價格高為接觸器的3倍、投切速度0.5s左右二、用戶通過對各種電容投切裝置性能比較，根據工程上的要求，有目的進行選型。以實現(xiàn)滿意的技術經濟性能。作者通過實踐

8、，從以上分析，提出建議如下：1、用于無功量比較穩(wěn)定，不需要頻繁投切電容補償的用戶，可選用帶帶限流電阻的接觸器投切電容裝置，這種裝置比較經濟、價格低。由于投切次數少，相應壽命就夠長了。2、對于需要快速頻繁投切電容補償的用戶，如電焊、電梯等設備，應選用無觸點可控硅投切電容裝置，才能達到應有的補償效果。3、對于其他一般工廠、小區(qū)和普通設備，無功量變化時間大于30s的地區(qū)，則考慮選用對電網無沖擊、節(jié)能、安全、經濟、使用壽命長的無涌流電容投切器。