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文檔簡介
1、有機光電探測器(OPD, Organic photodetector)作為一類重要的光電器件,由于它具有優(yōu)秀的機械靈活性,生產(chǎn)成本較低,材料選擇多樣廣泛等優(yōu)勢已經(jīng)吸引了很多研究學(xué)者的關(guān)注和研究,其中研究較多的有對OPD的電荷傳輸特性、界面調(diào)控對器件性能的提高。
為了提高OPD的性能,除了要選擇好高吸收率、高載流子遷移率的給受體材料,還需要保證載流子在傳輸中具有低的能量勢壘。當給受體材料界面出現(xiàn)能帶彎曲,形成了界面偶極子時,對有
2、機材料之間的能量勢壘也有很大影響。OPD器件關(guān)注暗電流、光暗電流比等參數(shù),OPD器件的暗電流越小越好,光暗電流比越大越好。為了減小OPD器件的暗電流,可以通過摻雜的方法來提高器件中薄膜的電阻率,從而減少器件的暗電流,提高器件的光暗電流比。本論文的主要內(nèi)容包括兩大部分,具體如下:
第一部分研究了摻雜調(diào)控ZnO納米棒/PVK界面提高紫外光電探測器的性能。通過在ZnO中摻雜不同濃度的Al制備成AZO薄膜,運用XRD、PL等表征手段對
3、不同Al濃度的AZO薄膜進行表征,得出增加Al的濃度使薄膜的結(jié)晶質(zhì)量變差,使薄膜的電阻增加。然后制備出了有機無機復(fù)合的ZnO/PVK基紫外探測器,其中ZnO納米顆粒采用溶膠-凝膠法制備,ZnO納米棒陣列采用水熱法制備。把不同Al濃度的AZO薄膜應(yīng)用于ZnO/PVK基紫外探測器中,減少了器件的暗電流,從而提高器件的光暗電流比,提高器件的性能,并通過測試器件的吸收光譜、J-V曲線、EQE光譜研究其對器件性能的改善。當摻雜Al濃度為10at%
4、時,在-5V偏壓下和365nm、2mW/cm2的紫外光光照下ZnO/PVK基紫外探測器的光暗電流比達到了103量級,器件的暗電流密度達到了17.2μA/cm2,響應(yīng)度達到了9.25A/W。
第二部分研究了多層DCJTB/C60界面對有機近紅外探測器性能的影響。利用真空蒸鍍的方法制備器件,通過改變DCJTB/C60的層數(shù)來優(yōu)化探測器的性能,器件在擁有3層DCJTB/C60薄膜時擁有較好的性能,在-1V偏壓下980nm近紅外激光器
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