SiC表面納米金屬顆粒增強MSM型紫外探測器研究.pdf

1、當人們探索紫外光源在紫外光刻機、紫外消毒、紫外養(yǎng)生等方面的應用時，對紫外光的探測必不可缺。目前市場上銷售的紫外探測器性能優(yōu)缺點各異，缺乏良好的性能提升。碳化硅（SiC）作為第三代半導體，除了具有大的禁帶寬度，良好的耐高溫、耐高壓、耐腐蝕特性外，對于紫外光的敏感性，以及相對成熟的高阻SiC外延制備技術，使得SiC成為制造紫外探測器不可多得的材料。目前的SiC紫外探測器中，以金屬-半導體-金屬型（MSM）居多，然而SiC MSM型探測器低的

2、探測性能成為制約其進一步發(fā)展的羈絆。
　　本論文中，首先利用半導體器件制備工藝建立了SiC MSM型紫外探測器的制備流程，細化了工藝細節(jié)，研制出SiC MSM型紫外探測器；然后在SiC MSM型紫外探測器表面制備了納米銀（Ag）和納米鋁（Al）金屬顆粒，研制出納米金屬顆粒增強的SiC MSM型探測器；最后測試并研究了納米金屬顆粒的增強效果。
　　研究結果表明，與SiC MSM型紫外探測器相比，納米Ag顆粒增強的SiC MSM

3、型紫外探測器，在偏壓5 V時，使用汞燈和氘燈照射，靈敏度分別提高了14.4倍和6.5倍，在380 nm波長下，響應度提高了3.87倍。對于納米Al顆粒增強的SiC MSM型紫外探測器，在偏壓5 V時，使用汞燈和氘燈照射，靈敏度分別提高了28.6倍和36.8倍。220 nm波長下的響應度為0.165 A/W，是SiC MSM型探測器的3.93倍。由于納米金屬顆粒的附著，減少了探測器表面的漏電通道，降低了探測器的暗電流。利用局域表面等離子體