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文檔簡介
1、SiC MOSFET是一種剛投入市場工業(yè)應用還未成熟的半導體器件，雖然SiC MOSFET一經問世就受到了廣泛關注，但其在實際工程應用中的的開關特性、靜態(tài)特性及功率損耗等表現(xiàn)還有待進一步明確驗證，在工程實踐前采用仿真軟件對其電源電路工作特性、效率等進行分析和評估是極為必要的。為了給下文的超高頻感應加熱電源關鍵技術研究奠定堅實基礎，本文通過對SiC MOSFET的內部電路結構、關鍵參數(shù)的研究，以廠家提供的內部模型程序為基礎對其結構及關鍵參
2、數(shù)進行優(yōu)化改進，采用PSpice仿真軟件建立SiC MOSFET的精確模型，模型中引入溫控電壓源、電壓控制開關、具有精確數(shù)學函數(shù)關系的電阻、電容等PSpice子電路對SiC MOSFET關鍵參數(shù)的設置進行優(yōu)化改進，使模型可精確仿真器件的實際工作特性。并搭建動、靜態(tài)特性實驗平臺對模型的正確性、有效性進行驗證。為將SiC MOSFET進一步應用于工程實踐，驗證其工業(yè)推廣價值，本文著重分析研究了高頻感應加熱電源設計中的整流器的拓撲結構、逆變器
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