微納系統(tǒng)電子束光刻關(guān)鍵技術(shù)及相關(guān)機(jī)理研究.pdf_第1頁(yè)
已閱讀1頁(yè),還剩124頁(yè)未讀, 繼續(xù)免費(fèi)閱讀

下載本文檔

版權(quán)說(shuō)明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請(qǐng)進(jìn)行舉報(bào)或認(rèn)領(lǐng)

文檔簡(jiǎn)介

1、電子束光刻技術(shù)在微納系統(tǒng)的集成電路光掩模制造領(lǐng)域具有不可替代的作用,是推動(dòng)微納系統(tǒng)特征尺寸不斷降低的關(guān)鍵技術(shù),同時(shí)也是納米電子學(xué)、納米光學(xué)以及半導(dǎo)體量子結(jié)構(gòu)制作等科學(xué)研究領(lǐng)域中不可或缺的加工手段。電子束光刻技術(shù)的性能不僅依賴于電子光學(xué)系統(tǒng)的狀態(tài)、環(huán)境溫度、空間磁場(chǎng)等外部條件,而且當(dāng)工藝節(jié)點(diǎn)深入到百納米級(jí)及以下時(shí),工藝條件的控制也變得至關(guān)重要。例如絕緣襯底電荷積累問(wèn)題的影響加劇了電子束直寫(xiě)圖形掃描場(chǎng)拼接的誤差;高高寬比納米結(jié)構(gòu)的粘連和坍塌

2、現(xiàn)象制約了后續(xù)的刻蝕工藝;由于電子散射產(chǎn)生的電子束曝光鄰近效應(yīng)限制了電子束直寫(xiě)的有效圖形分辨率、圖形結(jié)構(gòu)質(zhì)量大幅度下降。為了有效地提高電子束光刻的加工精度和圖形生成質(zhì)量,本文對(duì)電子束光刻中的關(guān)鍵工藝技術(shù)及其相關(guān)機(jī)理進(jìn)行了系統(tǒng)地研究。
  本論文從電子束光刻中的三個(gè)關(guān)鍵技術(shù)問(wèn)題,即絕緣襯底的電荷積累、高高寬比抗蝕劑圖形的坍塌及粘連、鄰近效應(yīng)影響圖形分辨率,進(jìn)行了詳細(xì)論述,以PMMA,HSQ,SX AR-P6200抗蝕劑為實(shí)驗(yàn)材料,研

3、究了電子束光刻技術(shù)中影響抗蝕劑圖形質(zhì)量的因素,并探討了問(wèn)題產(chǎn)生機(jī)理及解決方法,通過(guò)理化分析手段對(duì)其進(jìn)行了表征;開(kāi)展了實(shí)驗(yàn)方法及工藝流程的設(shè)計(jì),解決了關(guān)鍵工藝技術(shù)問(wèn)題;通過(guò)建立電荷積累、高高寬比抗蝕劑圖形坍塌及粘連、襯底中電子散射三種模型,以旋涂導(dǎo)電膠、電磁波加熱及工藝優(yōu)化與軟件仿真相結(jié)合的方法解決相應(yīng)問(wèn)題。分別以三種抗蝕劑的納米結(jié)構(gòu)為檢測(cè)對(duì)象,進(jìn)行了性能測(cè)試分析,同時(shí)對(duì)其曝光機(jī)理進(jìn)行了探討。主要的工作內(nèi)容如下:
  1.系統(tǒng)地總結(jié)

4、了納米電子束光刻中存在的各種關(guān)鍵工藝技術(shù)難點(diǎn),并根據(jù)大量工藝實(shí)驗(yàn)結(jié)果分析了各工藝技術(shù)問(wèn)題產(chǎn)生的原因,提出了相應(yīng)的解決思路。
  2.針對(duì)電子束在絕緣襯底上所產(chǎn)生的電荷積累,以及在絕緣體襯底上孤立金屬膜圖形仍然無(wú)法疏導(dǎo)周邊絕緣體表面電荷積累影響的問(wèn)題,通過(guò)仿真分析其產(chǎn)生機(jī)理,建立物理模型,并提出一種在電子抗蝕劑表面旋涂一層富含導(dǎo)電微粒的水溶性導(dǎo)電膠疏散電子束直寫(xiě)所產(chǎn)生的積累電荷的方法。通過(guò)實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證,該方法可以有效地抑制了直接在絕緣體

5、襯底上或者非導(dǎo)電介質(zhì)膜上進(jìn)行電子束曝光時(shí)積累電荷排斥電子束的現(xiàn)象,取得理想的效果。
  3.深入地探討了高高寬比抗蝕劑圖形由于水的表面張力所導(dǎo)致的粘連及坍塌機(jī)理,提出了電子束曝光顯影后直接通過(guò)電磁波加熱去離子水進(jìn)行干燥的方法。該方法是利用水分子在電磁波交變電場(chǎng)的作用下不斷加速產(chǎn)生劇烈運(yùn)動(dòng)的機(jī)理,使去離子水在交變的電磁場(chǎng)環(huán)境下升溫,分子間的氫鍵斷裂,促使水分子團(tuán)簇減小,降低水的表面張力。從實(shí)驗(yàn)結(jié)果可以看出,這一方法干燥顯影后的高高寬

6、比抗蝕劑圖形取得良好效果。
  4.通過(guò)Monte Carlo模擬和曝光實(shí)驗(yàn),從工藝條件、電子光學(xué)系統(tǒng)等方面分析了電子束曝光鄰近效應(yīng)產(chǎn)生的機(jī)制及主要影響電子束鄰近效應(yīng)校正前散射和背散射的因素。結(jié)合典型版圖的制作,探討了采用計(jì)算機(jī)軟件模擬與曝光實(shí)驗(yàn)相結(jié)合進(jìn)行鄰近效應(yīng)劑量調(diào)制校正的方法及過(guò)程,并對(duì)實(shí)驗(yàn)與模擬結(jié)果在校正前后的圖形質(zhì)量進(jìn)行了分析和對(duì)比,確定了最優(yōu)工藝流程。
  研究結(jié)果表明:在電子抗蝕劑表面旋涂導(dǎo)電膠,可以有效緩解電

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無(wú)特殊說(shuō)明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請(qǐng)下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請(qǐng)聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁(yè)內(nèi)容里面會(huì)有圖紙預(yù)覽,若沒(méi)有圖紙預(yù)覽就沒(méi)有圖紙。
  • 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 眾賞文庫(kù)僅提供信息存儲(chǔ)空間,僅對(duì)用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理,對(duì)用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對(duì)任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
  • 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容,請(qǐng)與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時(shí)也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對(duì)自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

評(píng)論

0/150

提交評(píng)論