ZnO-MgO核殼量子點制備及其發(fā)光特性的研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、氧化鋅(ZnO)作為比較典型的寬禁帶半導體材料，而量子點形態(tài)的ZnO又具有不同于其體材料的特色，比如量子尺寸效應、量子限域效應等等，在紫外光探測器、紫外發(fā)光二極管方面應用前景廣闊。
　　首先，本文對ZnO核殼量子點的制備與表征進行了一些探索。鑒于ZnO量子點缺陷多、團聚等諸多弊端，本文嘗試采用氧化鎂(MgO)對ZnO進行包殼，形成核殼結構，提高了ZnO量子點的存儲壽命并且減少了缺陷的產生，增強其紫外發(fā)光效果。通過調整制備參數(shù)，比如

2、生長時間、原料比例、加熱條件等，制備出多種ZnO/MgO核殼量子點樣品，借助微觀形貌分析手段和光學特性表征手段充分研究核殼量子點特性。
　　其次，研究ZnO/MgO核殼量子點在發(fā)光器件上的應用，分析其電致發(fā)光特性。采用全溶液旋涂方式，利用量子點與有機材料（PVK、PEDOT∶PSS等）制備出性能穩(wěn)定的發(fā)光二極管。其中，作為空穴傳輸材料的PVK與量子點層具有良好的能級匹配，而PEDOT∶PSS也增強了空穴輸運能力。通過調整旋涂轉速、

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