納米材料電子能帶與電子輸運第一性原理研究.pdf

1、隨著科技不斷的發(fā)展，材料的尺度也將變得越來越小。納米材料在科學技術上得到了廣泛應用，原子尺度結構的特性也成為了當今的研究熱點。材料的電子能帶是研究材料性質的基礎，密度泛函理論是研究材料的基態(tài)性質的有效工具，但不能精確給出半導體和絕緣體的準粒子能帶。最近，量子計算機概念的提出，納米材料的電子輸運性質引起了研究工作者們的興趣。非平衡格林函數(shù)理論是研究電子輸運性質的基本方法之一。隨著研究的深入，人們希望在不依賴參數(shù)的情況下能夠預測材料的電子輸

2、運性質。人們把密度泛函理論與非平衡格林函數(shù)法結合來研究材料的電子輸運性質。我們運用 Hedin的GWA計算了 BaO的準粒子能帶結構，并和 LDA的計算結果作了比較。我們結合 GWA方法和非平衡格林函數(shù)方法推導CO分子吸附于單原子鏈體系的電流強度公式,計算了碳納米管場效應晶體管的電子輸運,并研究了介質中雙缺陷對碳納米管場效應晶體管電子輸運的影響。
　　本論文分為五部分：第一部分簡單介紹了研究背景；第二部分概述了第一性原理和 BaO