三溫區(qū)泡生法藍寶石晶體生長的數(shù)值模擬.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、本文利用數(shù)值模擬的方法分析了三溫區(qū)泡生法藍寶石晶體生長過程中的內(nèi)部輻射、熔體對流、加熱器功率配比的影響,并對泡生法藍寶石晶體生長的幾個關(guān)鍵問題進行了探討。
 ?。?)內(nèi)部輻射對晶體生長的影響。晶體內(nèi)部輻射的存在使系統(tǒng)內(nèi)的溫場和流場更加均勻,降低了晶體應(yīng)力;隨著晶體內(nèi)部輻射吸收系數(shù)的增加,晶體傳熱能力降低,熔體的熱量不能通過晶體很好地導(dǎo)走,熔體平均溫度隨之增加,固液界面凸出率也隨之減小,晶體內(nèi)部溫度梯度隨之增加;熔體內(nèi)部輻射的存在增

2、加了系統(tǒng)的熱傳遞的能力,使熔體內(nèi)部對流加劇,熔體通過對流把更多的來自坩堝的熱量帶到結(jié)晶前沿,使熔體內(nèi)部溫度分布更加均勻,同時降低了系統(tǒng)溫度梯度和晶體應(yīng)力。
  (2)熔體對流對晶體生長的影響。在晶體生長轉(zhuǎn)肩階段,Marangoni對流的存在使界面凸出率增加了39.8%,并影響了熔體對流狀態(tài),引起了轉(zhuǎn)肩階段的晶體顳部凹陷。當(dāng)晶體生長到中部時,順時針漩渦暴露在三相點附近,造成了晶體腰部重熔。在收尾階段,Marangoni對流大大增加了

3、自由表面附近的漩渦強度,該漩渦由一個漩渦變成兩個旋渦,并引起了固液界面翻轉(zhuǎn)。界面反轉(zhuǎn)增加了位錯密度和熱應(yīng)力,引起了晶體底部開裂,模擬結(jié)果和實驗圖片相吻合。
  (3)加熱器功率配比對界面穩(wěn)定性的影響。在收尾階段,Marangoni對流對熔體傳熱的貢獻和自然對流同等重要,因而收尾階段熔體對流模式的變化是界面失穩(wěn)的直接原因;收尾階段的低界面前沿溫梯使界面的抗干擾能力大大下降,并且復(fù)雜熔體對流模式更容易地影響了界面穩(wěn)定性,因此收尾階段的

4、界面前沿較低的溫度梯度是界面失穩(wěn)的間接原因。另外,在收尾階段,底部加熱器功率的增加能抑制界面反轉(zhuǎn)的發(fā)生,但由于晶體較弱的導(dǎo)熱能力固液界面仍然是不穩(wěn)定的;上部加熱器功率的降低能進一步改善界面穩(wěn)定性。
 ?。?)泡生法藍寶石晶體生長的幾個關(guān)鍵問題的探討。通過藍寶石晶體、鉬坩堝和鎢坩堝的熱膨脹系數(shù)的分析發(fā)現(xiàn)選擇鎢鉬合金坩堝更有利于藍寶石晶體的生長,并且粘鍋能引起晶體開裂,而側(cè)部粘堝比底部粘堝更容易引起晶體開裂;提出的改良泡生法生長的大尺

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