PVK-無機(jī)半導(dǎo)體導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)光電導(dǎo)特性的研究.pdf

1、北方交通大學(xué)碩士學(xué)位論文PVK無機(jī)半導(dǎo)體導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)光電導(dǎo)特性的研究姓名：靳輝申請學(xué)位級別：碩士專業(yè)：光學(xué)指導(dǎo)教師：滕楓侯延冰20030201化方交通大學(xué)碩士畢業(yè)論文PVKIJ勿半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)光電與沖壽牲的研究電流的產(chǎn)生起主要作用。對于有機(jī)無機(jī)復(fù)合結(jié)構(gòu)的器件，我們主要研究了分層和納米混合兩種結(jié)構(gòu)器件的光電導(dǎo)特性。通過比較暗電流和光電導(dǎo)響應(yīng)譜，得到器件中載流子產(chǎn)生和傳輸?shù)那闆r。首先研究了聚合物PVK與TiOz分層器件的光電導(dǎo)特性，器件的結(jié)構(gòu)有

2、兩種，分別是:器件SITOTiOPVKIAl和器件SITOPVKTiOAl。我們發(fā)現(xiàn)，器件S，的暗電流遠(yuǎn)小于器件S:的暗電流，S，的正向峰值光電流約是其反向峰值光電流的4倍，而S的正向和反向峰值光電流都基本與S。的反向峰值光電流相近。這是山于PVKTiOz界面處有效的電荷轉(zhuǎn)移、恰當(dāng)?shù)碾姾蓚鬏攲?、器件各層間能級匹配及其與電極功函數(shù)的匹配影響了光電流的強(qiáng)度大小。隨電壓的增大，S結(jié)構(gòu)的光電導(dǎo)響應(yīng)譜在短波區(qū)域的拖尾增大，而S。結(jié)構(gòu)幾乎沒有拖尾，

3、這可能是兩種結(jié)構(gòu)的吸收和陷阱能級的差別造成的。從測量土看，照射光經(jīng)過PVK和TiO2層的順序不同，造成兩層的吸收比例不同，從而影響了光電導(dǎo)響應(yīng)譜。從結(jié)構(gòu)上看，兩種器件中PVK層和Tilt:層的位置相互交換，發(fā)生改變的因素主要有兩個(gè):與兩層相互接觸的電極發(fā)生了變化兩層生成順序的變化造成了界面形貌的變化，前者對光電導(dǎo)譜的影響更明顯。又制備了單層PVKZnS和雙層PVKZnS有機(jī)無機(jī)復(fù)合結(jié)構(gòu)的光電導(dǎo)型器件，器件結(jié)構(gòu)分別為GlassITOPVK