ECM型阻變存儲器的建模與仿真.pdf

1、隨著便攜式移動多媒體電子產(chǎn)品的蓬勃發(fā)展，非揮發(fā)性存儲器Flash迅速占據(jù)了存儲芯片的絕大部分市場。但是根據(jù)摩爾定律，特征尺寸在不斷縮減，在進入20nm技術節(jié)點之后，F(xiàn)lash存儲器由于其物理局限性正面臨著嚴峻的挑戰(zhàn)。業(yè)界普遍認為16nm-3D技術將會是Flash存儲器最后的舞臺。為了應對危機，多種類型的新型存儲器，如鐵電存儲器(FeRAM)、相變存儲器(PRAM)、磁阻存儲器(MRAM)以及阻變存儲器(RRAM)應運而生。其中RRAM由

2、于其結構簡單，操作速度快，可等比縮小至納米量級，與CMOS工藝兼容等諸多優(yōu)點，對高集成、低功耗技術要求極具吸引力。特別是基于二元金屬氧化物的RRAM研究已然成為研究的焦點，而且也被認為是新一代非揮發(fā)性存儲器的最有力競爭者。但是目前針對RRAM的研究還未成熟，在阻變機制方面沒有統(tǒng)一的理論，器件的耐久性、一致性等都表現(xiàn)較差，需要大量研究。
　　本文主要根據(jù)目前的研究現(xiàn)狀，針對RRAM的阻變機制進行了兩方面的研究。其一是，根據(jù)業(yè)內(nèi)普遍認

3、可的電化學型(ECM)導電細絲機制，結合前人的一些研究成果，開展了一個完整的用于描述ECM單元阻變行為的數(shù)學模型研究。對ECM單元的SET和RESET過程中電流電壓的變化、導電細絲的生長以及溶解過程進行了詳細描述。第二部分內(nèi)容是針對所建立的數(shù)學模型，采用MATLAB工具對模型中的不同參數(shù)進行仿真，如SET和RESET過程的電流電壓、隧穿間隙的變化，不同電極材料對阻變I-V特性的影響等諸多內(nèi)容。仿真工作一方面可以更加形象地理解RRAM的導