GaAs微波單片集成功率放大電路的研究設計.pdf

1、微波單片集成電路（MMIC）具有體積小、可靠性高、大量生產(chǎn)造價低等特點滿足人們對當代通信系統(tǒng)的需求，無論在軍用領域還是民用領域都具有很強的吸引力。微波功率放大器（PA）是構成相控陣雷達T/R組件的重要部分，而X波段的電磁波波長短，反射率強，應用在該波段的雷達在軍事方面具有很大的實用價值。高功率微波放大器（HPA）一直是MMIC功率放大器研究的重點難點，HPA通常需要采用功率合成的方法實現(xiàn)，輸出功率多為5W以上的水平。當前X波段功率放大器

2、的缺點有單管的增益不足，輸出功率小，效率低等，單管的性能制約著功率合成后HPA的性能。
　　通過對場效應晶體管建模技術、微波PA相關理論的深入學習研究，結合文獻資料，提出所要設計的微波單片集成功率放大電路的預期性能指標。設計研究了一款X波段單管單片驅動功率放大電路，可作為5W高功率微波放大器的驅動級使用。實現(xiàn)的目標是較高的功率輸出、較好的效率、較小的體積，較高的可靠性。
　　課題研究設計使用臺灣WIN半導體公司0.25um

3、GaAs PHEMT工藝模型，采用ADS仿真平臺完成功率放大電路的設計、仿真、驗證。涉及的關鍵技術有器件的選擇、偏置電路、負載牽引技術、匹配網(wǎng)絡等。所設計的功率放大電路工作在8-12GHz的頻段內，增益超過10dB，帶內波動<2dB，1dB壓縮點輸出功率約29dBm，功率附加效率38％，輸入輸出電壓駐波比<2.5。當雙音輸出功率為25dBm時，三階交調系數(shù)小于-30dBc。本次設計研究的功率放大電路各指標的實現(xiàn)符合預期要求，效率、線性度