Sn、Al共摻雜ZnO薄膜的制備及其性能研究.pdf

1、透明導(dǎo)電氧化物薄膜材料因為其優(yōu)異的導(dǎo)電性和光學(xué)性能可作為透明電極,在太陽能電池、液晶顯示、發(fā)光二極管等光電領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。如今,研究最成熟、應(yīng)用最廣泛的透明導(dǎo)電氧化物材料為銦錫氧化物(ITO)。但是銦為稀有金屬,價格昂貴,并且具有毒性,人們開始尋求新的材料來替代ITO。ZnO有較高的自然儲備,價格低廉,環(huán)境友好,而摻雜ZnO基薄膜擁有較好的光電性能,因此摻雜ZnO較有可能替代ITO材料作為透明電極。
　　本文采用不同質(zhì)量比的Sn

2、O2、Al2O3、ZnO混合粉末燒結(jié)制備了陶瓷靶材,用射頻磁控濺射方法制備了Sn、Al共摻雜ZnO透明導(dǎo)電薄膜(ZATO)。利用XRD、AFM、SEM、XPS、UV-VIS、四探針測試儀和多功能薄膜表面性能測試儀等對薄膜的結(jié)構(gòu)和性能進(jìn)行了表征。詳細(xì)研究了ZATO薄膜制備過程中濺射氣壓、射頻濺射功率、氧氬比、退火氣氛、退火溫度、退火時間對ZATO薄膜的結(jié)構(gòu)、表面形貌、電阻率、可見光透過率的影響;研究了不同Sn摻雜含量對ZATO薄膜的結(jié)構(gòu)、