AL-Sn共摻雜對(duì)ZnO納米棒的影響.pdf

1、分類(lèi)號(hào)：密級(jí)：學(xué)校代碼：學(xué)號(hào)：10165201311000824遣掌何花大學(xué)碩士學(xué)位論文⑨AI_Sn共摻雜對(duì)ZnO納米棒的影響作者姓名：學(xué)科、專(zhuān)業(yè)：研究方向：導(dǎo)師姓名i宋勇光學(xué)光電信息材料與器件王玉新2016年5月遼寧師范大學(xué)碩士學(xué)位論文摘要氧化鋅【ZnO)是一種IIVI族直接寬帶隙半導(dǎo)體化合物，屬于六方纖鋅礦結(jié)構(gòu)，在室溫條件下禁帶寬度為337eV，激子束縛能高達(dá)60meV，具有穩(wěn)定的化學(xué)性質(zhì)。由于ZnO優(yōu)異的導(dǎo)電性和光學(xué)性，所以可以用

2、來(lái)做透明電極的材料。它在太陽(yáng)能電池、聲波器、傳感器、液晶顯示器、薄膜晶體管等多個(gè)領(lǐng)域上得到了廣泛的應(yīng)用，成為了短波長(zhǎng)半導(dǎo)體材料領(lǐng)域研究的新熱點(diǎn)。摻雜的ZnO納米材料不僅具有類(lèi)似于金屬的導(dǎo)電性，而且對(duì)可見(jiàn)光有很高的透過(guò)率。ZnO自然儲(chǔ)備豐富、價(jià)格低廉、穩(wěn)定性高、容易實(shí)現(xiàn)低溫生長(zhǎng)，因此ZnO也是最有可能代替ITO薄膜的理想材料，實(shí)現(xiàn)透明導(dǎo)電薄膜的廉價(jià)發(fā)展。在本篇論文中，主要由磁控濺射法制備ZnO種子層、水熱法生長(zhǎng)趾摻雜ZnO納米棒、Al—s

3、n共摻雜ZnO納米棒三部分組成。并且通過(guò)改變ZnO種子層的濺射時(shí)間、ZnO納米棒的生長(zhǎng)時(shí)間、生長(zhǎng)液濃度、m摻雜濃度和AlSn共摻雜等條件來(lái)生長(zhǎng)ZnO納米棒。利用x射線衍射(XRD)、光致發(fā)光譜、掃描電子顯微鏡等手段對(duì)生長(zhǎng)的znO納米棒的光學(xué)性能、結(jié)構(gòu)、表面形貌進(jìn)行分析。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明利用磁控濺射法制備ZnO種子層，在濺射時(shí)間為15min、生長(zhǎng)5h、生長(zhǎng)液濃度為O02mol／L、A1摻雜濃度為2％時(shí)紫外發(fā)光最強(qiáng)，并出現(xiàn)了藍(lán)移。A1Sn共摻雜