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文檔簡(jiǎn)介
1、功率半導(dǎo)體器件是當(dāng)下建設(shè)綠色節(jié)能型社會(huì)的一項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)。從電能的產(chǎn)生、輸運(yùn)到應(yīng)用,功率半導(dǎo)體器件都發(fā)揮著至關(guān)重要的作用,而且單個(gè)器件的特性往往直接決定著整個(gè)電力系統(tǒng)的效能。所以近年來功率半導(dǎo)體器件得到了廣泛的關(guān)注和研究。
首先,本文介紹了一種電流源控制的雙極型功率器件,該結(jié)構(gòu)由電子科技大學(xué)陳星弼院士于2010年首先提出,并已申請(qǐng)發(fā)明專利[1]。這種器件基于晶閘管的四層三結(jié)結(jié)構(gòu),利用電流正反饋效應(yīng),器件導(dǎo)通時(shí)壓降很?。煌ㄟ^兩個(gè)外加
2、電流源控制器件內(nèi)部的電子電流和空穴電流,使得電流在達(dá)到一定值時(shí)隨外加偏壓的增加逐漸飽和,而不是無限增大,這一點(diǎn)和普通的晶閘管是不同的。從而該結(jié)構(gòu)很好的限制了絲狀大電流,解決了大功率器件中存在的電流集中效應(yīng)。文中討論了器件原理,結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)以及一些具體的實(shí)現(xiàn)方法。
此外,本文對(duì)Super-Junction IGBT這種新型器件結(jié)構(gòu)的工作原理進(jìn)行了詳細(xì)分析和研究。通過Medici仿真驗(yàn)證,SJ-IGBT的擊穿特性和正向?qū)▔航刀济黠@優(yōu)
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