半導(dǎo)體功率放大激光器耦合效率的研究.pdf

1、本論文通過(guò)對(duì)波長(zhǎng)為1.3μm、InGaAsP/InP材料的半導(dǎo)體功率放大激光器的特殊結(jié)構(gòu)的分析和研究，采取在半導(dǎo)體功率放大激光器相應(yīng)的腔面鍍膜的方法，以獲得高的增益、降低閾值電流、提高激光器的光耦合效率以及光輸出功率。為了提高半導(dǎo)體功率放大激光器中激光發(fā)生器與激光放大器的光耦合效率，我們通過(guò)在半導(dǎo)體功率放大激光器的激光發(fā)生器的前腔面鍍制高反射膜方法，提高激光發(fā)生器端面的光輸出，進(jìn)而來(lái)提高它的光耦合效率，我們采用ZrO2和MgF2作為多層

2、介質(zhì)高反射膜，通過(guò)理論計(jì)算，半導(dǎo)體功率放大激光器后腔面反射率理論上可達(dá)到92.5％。最后通過(guò)實(shí)驗(yàn)分析加以驗(yàn)證，半導(dǎo)體功率放大激光器在鍍制反射膜之后，它的整體工作功率提高了36.3-50％。同時(shí)，為了進(jìn)一步提高半導(dǎo)體功率放大激光器中的激光發(fā)生器與激光放大器的耦合效率，我們采取在半導(dǎo)體功率放大激光器激光放大器的前腔面鍍制SiO增透膜的方法來(lái)提高相應(yīng)腔面的透射率，進(jìn)一步提高它的光耦合效率。并采用軟件進(jìn)行模擬計(jì)算分析，整體透射率得到了明顯改善。