含苯并噻唑的小分子的合成與電存儲性能的研究.pdf

1、隨著新科技革命(信息革命)不斷加速發(fā)展,整個世界的信息量也呈現(xiàn)幾何級增長。傳統(tǒng)的以“0”和“1”為基準的存儲技術,即二進制光存儲和磁存儲,已經發(fā)展到了瓶頸階段,其極限存儲容量只能達到106 Bit/cm2,這已經遠遠不能滿足人們的需求。因此,尋求存儲技術的突破已經成為當前的燃眉之急。近幾年來,電存儲技術吸引了越來越多的人的關注。在2010年,我們課題組設計出以V型偶氮分子為核心材料的器件,該器件突破了傳統(tǒng)的“二進制”,成功實現(xiàn)了“三進制

2、”的存儲,極大地提高了單位面積上的存儲密度。
　　本論文跳出了傳統(tǒng)以偶氮為核心的研究領域,引入苯并噻唑這一弱吸電子基團,并將它與其他不同強度的吸電子基團組合起來,以考察不同大小“陷阱”以及不同的分子結構對于器件存儲性能的影響。同時,本文對不同的制膜技術對薄膜器件的性能的影響進行了系統(tǒng)化的研究:
　　(1)設計并合成了兩個有機小分子BTVCz-NO2和BTVCz,兩分子骨架中均含有一個供電子基團(咔唑)和一個弱的吸電子基團(苯

3、并噻唑)。分子 BTVCz-NO2是一個不對稱A1-D-A2形結構,而分子BTVCz由咔唑和苯并噻唑形成單一D-A結構。通過對兩分子器件進行I/V測試,我們發(fā)現(xiàn),ITO/ BTVCz-NO2/Al器件表現(xiàn)出非易失性三進制WORM性能,而ITO/ BTVCz/Al則表現(xiàn)為二進制易失性的DRAM性能。通過對它們的光學,電化學以及表面形貌進行研究,再結合理論計算,我們得出結論:兩分子器件表現(xiàn)出不同的存儲性能是因為兩者分子結構中含有不同強度及不

4、同數(shù)量的吸電子基團所引起的,這對今后通過分子結構調控有機存儲器件不同性能具有十分重要的意義。
　　(2)將分子 BTVCz-NO2用兩種不同的方法(溶液旋涂和真空蒸鍍)制成薄膜器件,并對兩器件進行 I/V測試,結果表明兩器件均表現(xiàn)出非易失性三進制 WORM型存儲,而真空蒸鍍的存儲器件的開啟電壓更高,且有效存儲單元數(shù)量大大下降。通過UV、CV、AFM和XRD測試,發(fā)現(xiàn)溶液旋涂薄膜的紫外吸收發(fā)生更大的紅移,氧化電位更低,薄膜的表面起伏

5、度更小,分子間堆積距離更小,正是這些原因才導致兩薄膜的存儲性能存在如此大的差異。以上結果表明,用不同的薄膜技術制備出來的器件之間的差異是很大的。對于同一個分子,可以選擇用不同的成膜技術篩選出最理想的薄膜,以獲得最佳的器件性能。
　　(3)設計并合成了以DPP為中心吸電子基團、兩側含有苯并噻唑的共軛分子。通過用氯苯、環(huán)己酮以及兩者不同比例的混合溶劑將該分子旋涂成納米薄膜并制備成“三明治”結構器件。通過AFM、XRD和I-V等測試,發(fā)